Industrial

IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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IFN146

InterFET IFN146 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0450H Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-71-Gehäuse.

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IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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Isabellenhütte 25003/VMI (0805)

Präzisiona-Strommesswiderstand
Dauerstrom bis zu 7A (10mOhm)
Widerstandsbereich von 0.01Ω bis 0.05Ω
Toleranz von ±1%
Zweipolige Konfiguration
Nennleistung bis zu 0.5W (bei +70°C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

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Isabellenhütte 25004/VMK (1206)

DLA-zertifizierter Präzisions-Strommesswiderstand
Dauerstrom bis zu 8.5A (10mOhm)
Widerstandsbereich von 0.01Ω bis 0.47Ω
Toleranz von ±0.5% oder ±1%
Zweipolige Konfiguration
Nennleistung bis zu 0.75W (bei +70°C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

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Isabellenhütte 25005/VMP (2010)

DLA-zertifizierter Präzisions-Strommesswiderstand
Dauerstrom bis zu 17 A (5 mΩ)
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 1 Ω
Toleranz von ±0,5 % oder ±1 %
Zweipolige Konfiguration
Nennleistung bis zu 1,5 W (bei +70 °C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

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Isabellenhütte 25006/VMS (2512)

DLA-zertifizierter Präzisions-Strommesswiderstand
Konstanter Strom bis zu 20 A (5 mΩ)
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 1 Ω
Toleranz von ±0,5 % oder ±1 %
Zweipolige Konfiguration
Nennleistung bis zu 2 W (bei +70 °C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

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Isabellenhütte BAX Serie

Niedriger Widerstand Busbar Shunt-Widerstand
Bis zu 40 W dauerhafte Leistung
Kontinuierliche Stromlast bis zu 1.400 A
Hohe Impulsleistungsbewertung
Erhältlich mit Nickel-Zinn-Beschichtung
Shunt mit verzinnten Anschlüssen

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J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J174

InterFET J174 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

IFN146

InterFET IFN146 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0450H Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-71-Gehäuse.

IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.