Luft- und Raumfahrt

  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.
  • InterFET

DPAD1

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • Paine

Emerson Paineโ„ข 212-30-010-0500

  • Miniatur-Satellit und Raumdruckmesser
  • Druckbereich von 0 – 500 PSIA
  • VollverschweiรŸte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ยฑ12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von โˆ’40ยฐC bis +60ยฐC
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ยฑ1,5%
  • Paine

Emerson Paineโ„ข 212-35-070-05K0

  • Mini-Satellit und Weltraum-Drucktransmitter
  • Druckbereich von 0 – 5.000 PSIA
  • GeschweiรŸte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ยฑ12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von โˆ’40ยฐC bis +60ยฐC
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ยฑ1,5%
  • Exxelia Ohmcraft

Exxelia Ohmcraft HVCD 3512

  • Hochspannungs-Oberflรคchenmontage-Chip-Divider
  • Spannungsbewertung bis zu 2000V
  • Widerstandsbereich von 40Mฮฉ bis 10Gฮฉ
  • Verhรคltnistoleranzen so eng wie ยฑ1%
  • TCR-Nachverfolgung so niedrig wie ยฑ25 ppm/ยฐC
  • Leistungsbewertung von 100mW

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.

DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

Emerson Paineโ„ข 212-30-010-0500

  • Miniatur-Satellit und Raumdruckmesser
  • Druckbereich von 0 – 500 PSIA
  • VollverschweiรŸte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ยฑ12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von โˆ’40ยฐC bis +60ยฐC
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ยฑ1,5%

Emerson Paineโ„ข 212-35-070-05K0

  • Mini-Satellit und Weltraum-Drucktransmitter
  • Druckbereich von 0 – 5.000 PSIA
  • GeschweiรŸte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ยฑ12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von โˆ’40ยฐC bis +60ยฐC
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ยฑ1,5%

Exxelia Ohmcraft HVCD 3512

  • Hochspannungs-Oberflรคchenmontage-Chip-Divider
  • Spannungsbewertung bis zu 2000V
  • Widerstandsbereich von 40Mฮฉ bis 10Gฮฉ
  • Verhรคltnistoleranzen so eng wie ยฑ1%
  • TCR-Nachverfolgung so niedrig wie ยฑ25 ppm/ยฐC
  • Leistungsbewertung von 100mW

Resources

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