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  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.
  • General Resistance

5E10 Mini-Ohm-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 10 ฮฉ bis zu 200 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von bis zu 0,2 W (Ausfรผhrung 5E10D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC
  • General Resistance

5G10 Mini-Ohm-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 10 ฮฉ bis zu 200 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von bis zu 0,2 W (Ausfรผhrung 5G10D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC
  • General Resistance

8E16 Econistor-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 1 ฮฉ bis zu 699 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von bis zu 0,33 W (Ausfรผhrung 8E16D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC
  • General Resistance

8G16 Econistor-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 1 ฮฉ bis zu 699 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung ab 0,33 W (Ausfรผhrung 8G16D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.

5E10 Mini-Ohm-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 10 ฮฉ bis zu 200 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von bis zu 0,2 W (Ausfรผhrung 5E10D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC

5G10 Mini-Ohm-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 10 ฮฉ bis zu 200 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von bis zu 0,2 W (Ausfรผhrung 5G10D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC

8E16 Econistor-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 1 ฮฉ bis zu 699 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von bis zu 0,33 W (Ausfรผhrung 8E16D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC

8G16 Econistor-Serie von General Resistance

  • Prรคzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlรผssen
  • Widerstandsbereich von 1 ฮฉ bis zu 699 kฮฉ
  • Enge Toleranzen von ยฑ0,01 % und ยฑ0,1 %
  • TK von ยฑ5 ppm/ยฐC
  • Nennleistung ab 0,33 W (Ausfรผhrung 8G16D)
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis zu +160 ยฐC

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