Industrial

  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.
  • Cissoid

Cissoid CMT-PLA3SB12340A

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25ยฐC/90ยฐC
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mฮฉ
  • Junctionstemperatur: -40ยฐC bis +175ยฐC
  • Core Sensors

Core Sensors CS10T Serie

  • Druck- und Temperaturmessung mit unabhรคngigen Ausgรคngen
  • Druckbereiche von 50 bis 10.000 PSI
  • Mehrere Temperaturbereiche verfรผgbar
  • Genauigkeit bis zu โ‰ค ยฑ0,25% BFSL
  • Stabilitรคt (1 Jahr) von โ‰ค ยฑ0,25 % der FS
  • รœberdruck von mindestens 2x
  • Core Sensors

Core Sensors CS60 Serie

  • Explosionsgeschรผtzter Druckmessumformer
  • Druckbereiche von 50 PSI bis 30.000 PSI
  • Einteilige Membrankonstruktion – keine internen O-Ringe oder SchweiรŸnรคhte
  • Werkseitig abgedichtetes Gehรคuse aus Edelstahl – Widersteht rauen Umgebungen
  • Genauigkeit von โ‰คยฑ0,25% BFSL bei 25ยฐC (<10.000 PSI)
  • Druckzyklen von 100 Millionen
  • รœberdruck von mindestens 2x
  • Coto Technology

Coto 9290 Serie

  • Oberflรคchenmontierte SIP-Reed-Relais
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012ฮฉ
  • Schaltstrom 0,5A
  • 50ฮฉ Koaxiale Abschirmung
  • Gegossenes 6-poliges SIP-Gehรคuse mit optionalen Gull Wing- oder J-Lead-Anschlรผssen
  • Temperaturbereich -20ยฐC bis +85ยฐC

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.

Cissoid CMT-PLA3SB12340A

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25ยฐC/90ยฐC
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mฮฉ
  • Junctionstemperatur: -40ยฐC bis +175ยฐC

Core Sensors CS10T Serie

  • Druck- und Temperaturmessung mit unabhรคngigen Ausgรคngen
  • Druckbereiche von 50 bis 10.000 PSI
  • Mehrere Temperaturbereiche verfรผgbar
  • Genauigkeit bis zu โ‰ค ยฑ0,25% BFSL
  • Stabilitรคt (1 Jahr) von โ‰ค ยฑ0,25 % der FS
  • รœberdruck von mindestens 2x

Core Sensors CS60 Serie

  • Explosionsgeschรผtzter Druckmessumformer
  • Druckbereiche von 50 PSI bis 30.000 PSI
  • Einteilige Membrankonstruktion – keine internen O-Ringe oder SchweiรŸnรคhte
  • Werkseitig abgedichtetes Gehรคuse aus Edelstahl – Widersteht rauen Umgebungen
  • Genauigkeit von โ‰คยฑ0,25% BFSL bei 25ยฐC (<10.000 PSI)
  • Druckzyklen von 100 Millionen
  • รœberdruck von mindestens 2x

Coto 9290 Serie

  • Oberflรคchenmontierte SIP-Reed-Relais
  • Hoher Isolationswiderstand von mindestens 1012ฮฉ
  • Schaltstrom 0,5A
  • 50ฮฉ Koaxiale Abschirmung
  • Gegossenes 6-poliges SIP-Gehรคuse mit optionalen Gull Wing- oder J-Lead-Anschlรผssen
  • Temperaturbereich -20ยฐC bis +85ยฐC

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