Erneuerbare Energien

  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.
  • Core Sensors

Core Sensors CS60 Serie

  • Explosionsgeschรผtzter Druckmessumformer
  • Druckbereiche von 50 PSI bis 30.000 PSI
  • Einteilige Membrankonstruktion – keine internen O-Ringe oder SchweiรŸnรคhte
  • Werkseitig abgedichtetes Gehรคuse aus Edelstahl – Widersteht rauen Umgebungen
  • Genauigkeit von โ‰คยฑ0,25% BFSL bei 25ยฐC (<10.000 PSI)
  • Druckzyklen von 100 Millionen
  • รœberdruck von mindestens 2x
  • Core Sensors

CS15 von Core Sensors

  • Tauchfester Freistrom-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 2ย PSI bis 50ย PSI
  • Frontbรผndiges Membranventil verhindert Verstopfen
  • Membranventilmaterial: Hastelloy C276
  • Schutzart IP68
  • Betriebstemperatur: -40ย ยฐC bis +85ย ยฐC
  • Kompensierte Temperatur: 0ย ยฐC bis +55ย ยฐC
  • Core Sensors

CS50 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 50 bis zu 30.000ย PSI
  • Genauigkeit: โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC
  • Stabilitรคt: โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 60.000ย PSI
  • Core Sensors

CS51 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Niederdruck-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1ย PSI bis zu 49ย PSI
  • Temperaturbereich: -20ย ยฐC bis +80ย ยฐC*
  • Genauigkeit: bis zu โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC**
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.

Core Sensors CS60 Serie

  • Explosionsgeschรผtzter Druckmessumformer
  • Druckbereiche von 50 PSI bis 30.000 PSI
  • Einteilige Membrankonstruktion – keine internen O-Ringe oder SchweiรŸnรคhte
  • Werkseitig abgedichtetes Gehรคuse aus Edelstahl – Widersteht rauen Umgebungen
  • Genauigkeit von โ‰คยฑ0,25% BFSL bei 25ยฐC (<10.000 PSI)
  • Druckzyklen von 100 Millionen
  • รœberdruck von mindestens 2x

CS15 von Core Sensors

  • Tauchfester Freistrom-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 2ย PSI bis 50ย PSI
  • Frontbรผndiges Membranventil verhindert Verstopfen
  • Membranventilmaterial: Hastelloy C276
  • Schutzart IP68
  • Betriebstemperatur: -40ย ยฐC bis +85ย ยฐC
  • Kompensierte Temperatur: 0ย ยฐC bis +55ย ยฐC

CS50 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 50 bis zu 30.000ย PSI
  • Genauigkeit: โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC
  • Stabilitรคt: โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 60.000ย PSI

CS51 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Niederdruck-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1ย PSI bis zu 49ย PSI
  • Temperaturbereich: -20ย ยฐC bis +80ย ยฐC*
  • Genauigkeit: bis zu โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC**
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum

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