Prüfung und Messung

PAT1220 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0805
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PAT1632 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1206
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB) und 16 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PAT3042S von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1612
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB), 16 dB bzw. 20 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω bzw. 75 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PBH-Serie von Isabellenhütte

Präzisions-Leistungswiderstand
Ausführung für die Durchsteckmontage mit 2 Anschlussklemmen
Widerstandsbereich von 0,002 Ω bis 100 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 10 W auf einem geeigneten Kühlkörper
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PLU-Serie von Isabellenhütte

Präzisionswiderstand für die Strommessung
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 4 Anschlussklemmen in Gehäusegröße 2439
Widerstandswert von 0,001 Ω
Toleranzwert von ±5 %
TK-Wert von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

Datenblatt

PMH-Serie von Isabellenhütte

Bondbarer Präzisionswiderstand für hohe Leistungen
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 2 bzw. 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2512
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 0,4 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK-Wert von < ±30 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -55 °C bis +170 °C

Datenblatt

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

RARA HPS

Hochleistungs-Präzisions-Nebenschlusswiderstand
Widerstandsbereich von 0,001Ω bis 0,01Ω *
Toleranzen von ±0,05% bis ±1%
TCR von ±5ppm/℃, ±10ppm/℃ *
Leistungsaufnahme von 250 W (auf einem geeigneten Kühlkörper)
Temperaturbereich von -55°C bis +100°C

Datenblatt

RARA SMW Serie

Hochleistungs-Drahtwiderstände zur Oberflächenmontage
Verfügbare Leistungsstufen: 2W, 3W und 5W
Großer Widerstandsbereich: 0,1Ω bis 500Ω
Präzise Toleranzen: ±1 % & ±5 %
Temperaturkoeffizient: 200 ppm/°C
Flammhemmendes UL94V0-gehäuse für hohe Sicherheit

Datenblatt

RARA UHPS

Nebenschlusswiderstand mit 4 Anschlüssen
Widerstandsoptionen von 0,2mΩ und 1mΩ
Toleranzen von ±0,05% bis ±1%
TCR von ±10 ppm/°C
Leistungsaufnahme von 100W (auf einem geeigneten Kühlkörper)
Temperaturbereich von -55°C bis +100°C

Datenblatt

RL0510 von Susumu

Niederohmiger Chip-Widerstand in Dünnschicht-Technik
Kurzseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 0402
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis 47 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C
Toleranzen von ±1 % (F), ±2 % (G) bzw. ±5 % (J)
Nennleistung von minimal 0,125 W

Datenblatt

RL0816 von Susumu

Niederohmiger Chip-Widerstand in Dünnschicht-Technik
Kurzseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 0603
Widerstandswerte von 0,02 Ω bis 68 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Toleranzen von ±1 % (F), ±2 % (G) bzw. ±5 % (J)
Nennleistung von minimal 0,2 W

Datenblatt

RL1220 von Susumu

Niederohmiger Chip-Widerstand in Dünnschicht-Technik
Kurzseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 0805
Widerstandswerte von 0,01 Ω bis 100 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Toleranzen von ±1 % (F), ±2 % (G) bzw. ±5 % (J)
Nennleistung von bis zu 0,33 W

Datenblatt

RL1632 von Susumu

Niederohmiger Chip-Widerstand in Dünnschicht-Technik
Kurzseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 1206
Widerstandswerte von 0,01 Ω bis 4,7 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C
Toleranzen von ±1 % bzw. ±2 %
Nennleistung von 0,5 W

Datenblatt

RUG-Z-Serie von Isabellenhütte

Eingestelltes Produkt, bitte sehen Sie sich unsere RUG-Z-Alternativen an.
Hochpräzisions-Nebenwiderstand
Widerstandsbereich von 0,0005 Ω bis 100 Ω
Toleranzen von ±0,1 % und ±1 %
TK-Werte ab < ±1 ppm/°C
Nennleistung von 250 W auf einem geeigneten Kühlkörper
Temperaturbereich von -55 °C bis +110 °C

Datenblatt

PAT1220 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0805
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PAT1632 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1206
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB) und 16 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PAT3042S von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1612
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB), 16 dB bzw. 20 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω bzw. 75 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PBH-Serie von Isabellenhütte

Präzisions-Leistungswiderstand
Ausführung für die Durchsteckmontage mit 2 Anschlussklemmen
Widerstandsbereich von 0,002 Ω bis 100 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 10 W auf einem geeigneten Kühlkörper
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PLU-Serie von Isabellenhütte

Präzisionswiderstand für die Strommessung
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 4 Anschlussklemmen in Gehäusegröße 2439
Widerstandswert von 0,001 Ω
Toleranzwert von ±5 %
TK-Wert von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

PMH-Serie von Isabellenhütte

Bondbarer Präzisionswiderstand für hohe Leistungen
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 2 bzw. 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2512
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 0,4 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK-Wert von < ±30 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -55 °C bis +170 °C

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.