Luft- und Raumfahrt

  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

DPAD1

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • Paine

Emerson Paine™ 212-30-010-0500

  • Miniatur-Satellit und Raumdruckmesser
  • Druckbereich von 0 – 500 PSIA
  • Vollverschweißte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ±12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von −40°C bis +60°C
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ±1,5%
  • Paine

Emerson Paine™ 212-35-070-05K0

  • Mini-Satellit und Weltraum-Drucktransmitter
  • Druckbereich von 0 – 5.000 PSIA
  • Geschweißte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ±12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von −40°C bis +60°C
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ±1,5%
  • Paine

Emerson Paine™ 213 Heritage-Satellite-Serie Druckmessumformer

  • Weltraumqualifizierter verstärkter Drucktransmitter
  • Druckbereiche von 0–500 PSIA bis 0–5000 PSIA
  • Betriebstemperaturbereich −29 °C bis +70 °C
  • Genauigkeit von ±1,5 % vom Endwert
  • 0–5 VDC Ausgang mit geringer Restwelligkeit
  • Entwickelt gemäß EEE INST-002/MSFCSTD-3012 Level 2 Standards

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Emerson Paine™ 212-30-010-0500

  • Miniatur-Satellit und Raumdruckmesser
  • Druckbereich von 0 – 500 PSIA
  • Vollverschweißte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ±12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von −40°C bis +60°C
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ±1,5%

Emerson Paine™ 212-35-070-05K0

  • Mini-Satellit und Weltraum-Drucktransmitter
  • Druckbereich von 0 – 5.000 PSIA
  • Geschweißte Edelstahlkonstruktion
  • Eingangsspannung von ±12 – 15VDC
  • Temperaturbereich von −40°C bis +60°C
  • Ausgangsspannung von 0,1 bis 5,1VDC
  • Genauigkeit von ±1,5%

Emerson Paine™ 213 Heritage-Satellite-Serie Druckmessumformer

  • Weltraumqualifizierter verstärkter Drucktransmitter
  • Druckbereiche von 0–500 PSIA bis 0–5000 PSIA
  • Betriebstemperaturbereich −29 °C bis +70 °C
  • Genauigkeit von ±1,5 % vom Endwert
  • 0–5 VDC Ausgang mit geringer Restwelligkeit
  • Entwickelt gemäß EEE INST-002/MSFCSTD-3012 Level 2 Standards

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