Unterwasser

  • InterFET

DPAD1

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • Paine

Emerson Paineâ„¢ 210-60-090 Serie

  • Sehr geringe thermische Empfindlichkeitsänderung von ±0,01 % des Endwertes pro °C
  • Kleine, leichte Anbauweise für einfache Installation
  • Temperaturkompensiertes Design bietet hochgenaue Druckmessungen
  • Stoß- und vibrationsbeständiges Design bietet hochgenaue und zuverlässige Drucküberwachung unter verschiedenen Betriebsbedingungen
  • Robuste Lösung hält widrigen Umgebungen stand für eine lang anhaltende Leistung
  • Maßgeschneiderte elektrische Anschlüsse und Druckanschlussadapter sind auf Anfrage erhältlich
  • Paine

Emerson Paineâ„¢ 210-65-010 Serie

  • Thermische Empfindlichkeitsverschiebung von ±0,01% des F.S. pro °C
  • Kleines, leichtes, an der Verteilerstelle montiertes Design für eine einfache Installation
  • Schock- und vibrationsbeständiges Design bietet eine hochgenaue und zuverlässige Drucküberwachung in vielen Betriebsbedingungen
  • Kompaktes Design für eine einfach zu verwendende differentielle Messlösung
  • Robuste Lösung übersteht raue Umgebungen für eine lang anhaltende Leistung
  • Maßgeschneiderte elektrische Anschlüsse und Druckportadapter sind auf Anfrage erhältlich
  • Paine

Emerson Paineâ„¢ 220-30-020 Serie

  • Unterwasser-Druck- und Temperatursender, der für eine zuverlässige Leistung und digitale Messgenauigkeit konzipiert ist
  • Vollständig tauchfähiger Sender, der für entfernte Unterwassersysteme zur Druck- und Temperaturmessung konzipiert ist
  • Auflösung von mindestens 16 Bits (0,08 PSI bei Vollauslastung von 5.000 PSI) mit digitaler CANopen®-Genauigkeit
  • Entwickelt mit einem 3/8-Zoll-Weibchen-Autoklaven-Anschluss zur Erfüllung der branchenüblichen Anforderungen
  • Anpassbare Senderoptionen für maßgeschneiderte Designs verfügbar
  • Paine

Emerson Paineâ„¢ 310-38-0050 Serie

  • Ultra-miniaturer Hochdruck-Wandler
  • Entwickelt für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen mit hohen Zyklus-, Hochdruck- und Hochtemperaturanwendungen
  • Drift von weniger als 0,05 % des gesamten Messbereichs über 60 Tage
  • Ausgabe bei Nulldruck von 0,1 mv/v ±0,01 mv/v bei 75°F oder 23°C
  • Die Gesamtfehlergrenze beträgt ±0,025 % der vollständigen Sensitivität für eine außergewöhnliche Genauigkeit
  • Individuell anpassbare Wandleroptionen für maßgeschneiderte Designs verfügbar
  • Paine

Emerson Paineâ„¢ 320-10-010 Serie

  • Hochpräziser Druck- und Temperatursender mit programmierbarem Temperaturausgang: °F oder °C
  • Hält rauen und extremen Umgebungen stand, um in anspruchsvollen Anwendungen langlebig zu sein
  • Vollständig kompensiert und kalibriert, um außergewöhnliche Genauigkeit über hohe Druckbereiche zu bieten
  • Digitales Netzwerk bietet Flexibilität und Programmierbarkeit für verschiedene Anwendungen
  • Anpassbare Senderoptionen für maßgeschneiderte Designs verfügbar
  • Befreit
  • Paine

Emerson Paineâ„¢ 320-12-0010 Serie

  • Prazisions-Druck- und Temperaturtransmitter mit einem Temperaturausgang in °F oder °C
  • Mikroprozessor-basierte Technologie liefert präzise digitale Messungen für optimale Genauigkeit und eine Temperaturauflösung von mindestens 12 Bits
  • Entwickelt mit einer einfachen und benutzerfreundlichen Kommunikationsschnittstelle für verbesserte Effizienz
  • Konstruiert mit Langzeitstabilität für konsistente und zuverlässige Leistung
  • Anpassbare Transmitteroptionen verfügbar für maßgeschneiderte Designs
  • Paine

Emerson Paineâ„¢-Serie 211-37-520

  • Hochdruck- und Temperatursensor
  • Als ideale Lösung für Tiefbohrungen, Unterwasser- und Industrie-Design betrachtet
  • Volllast-(F.S.) Empfindlichkeit von 2,6 mV/V ±0,2%
  • Externer Gehäusedruck bis zu 20.000 PSI
  • Vollverschweißte, abgedichtete Konstruktion bietet Haltbarkeit, Widerstandsfähigkeit und Stabilität in rauen und korrosiven Umgebungen
  • Nichtlinearität und Hysterese kombiniert: ±0,15% F.S. max (BSLM)
  • InterFET

IF1320ST3

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF1322AS08

InterFET Product Image (SOIC-8)
InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF1322S08

InterFET Product Image (SOIC-8)
InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF140AST3

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF140AT72

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF140ST3

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF170AST3

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

IF170BST3

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform

DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Emerson Paineâ„¢ 210-60-090 Serie

  • Sehr geringe thermische Empfindlichkeitsänderung von ±0,01 % des Endwertes pro °C
  • Kleine, leichte Anbauweise für einfache Installation
  • Temperaturkompensiertes Design bietet hochgenaue Druckmessungen
  • Stoß- und vibrationsbeständiges Design bietet hochgenaue und zuverlässige Drucküberwachung unter verschiedenen Betriebsbedingungen
  • Robuste Lösung hält widrigen Umgebungen stand für eine lang anhaltende Leistung
  • Maßgeschneiderte elektrische Anschlüsse und Druckanschlussadapter sind auf Anfrage erhältlich

Emerson Paineâ„¢ 210-65-010 Serie

  • Thermische Empfindlichkeitsverschiebung von ±0,01% des F.S. pro °C
  • Kleines, leichtes, an der Verteilerstelle montiertes Design für eine einfache Installation
  • Schock- und vibrationsbeständiges Design bietet eine hochgenaue und zuverlässige Drucküberwachung in vielen Betriebsbedingungen
  • Kompaktes Design für eine einfach zu verwendende differentielle Messlösung
  • Robuste Lösung übersteht raue Umgebungen für eine lang anhaltende Leistung
  • Maßgeschneiderte elektrische Anschlüsse und Druckportadapter sind auf Anfrage erhältlich

Emerson Paineâ„¢ 220-30-020 Serie

  • Unterwasser-Druck- und Temperatursender, der für eine zuverlässige Leistung und digitale Messgenauigkeit konzipiert ist
  • Vollständig tauchfähiger Sender, der für entfernte Unterwassersysteme zur Druck- und Temperaturmessung konzipiert ist
  • Auflösung von mindestens 16 Bits (0,08 PSI bei Vollauslastung von 5.000 PSI) mit digitaler CANopen®-Genauigkeit
  • Entwickelt mit einem 3/8-Zoll-Weibchen-Autoklaven-Anschluss zur Erfüllung der branchenüblichen Anforderungen
  • Anpassbare Senderoptionen für maßgeschneiderte Designs verfügbar

Emerson Paineâ„¢ 310-38-0050 Serie

  • Ultra-miniaturer Hochdruck-Wandler
  • Entwickelt für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen mit hohen Zyklus-, Hochdruck- und Hochtemperaturanwendungen
  • Drift von weniger als 0,05 % des gesamten Messbereichs über 60 Tage
  • Ausgabe bei Nulldruck von 0,1 mv/v ±0,01 mv/v bei 75°F oder 23°C
  • Die Gesamtfehlergrenze beträgt ±0,025 % der vollständigen Sensitivität für eine außergewöhnliche Genauigkeit
  • Individuell anpassbare Wandleroptionen für maßgeschneiderte Designs verfügbar

Emerson Paineâ„¢ 320-10-010 Serie

  • Hochpräziser Druck- und Temperatursender mit programmierbarem Temperaturausgang: °F oder °C
  • Hält rauen und extremen Umgebungen stand, um in anspruchsvollen Anwendungen langlebig zu sein
  • Vollständig kompensiert und kalibriert, um außergewöhnliche Genauigkeit über hohe Druckbereiche zu bieten
  • Digitales Netzwerk bietet Flexibilität und Programmierbarkeit für verschiedene Anwendungen
  • Anpassbare Senderoptionen für maßgeschneiderte Designs verfügbar

Emerson Paineâ„¢ 320-12-0010 Serie

  • Prazisions-Druck- und Temperaturtransmitter mit einem Temperaturausgang in °F oder °C
  • Mikroprozessor-basierte Technologie liefert präzise digitale Messungen für optimale Genauigkeit und eine Temperaturauflösung von mindestens 12 Bits
  • Entwickelt mit einer einfachen und benutzerfreundlichen Kommunikationsschnittstelle für verbesserte Effizienz
  • Konstruiert mit Langzeitstabilität für konsistente und zuverlässige Leistung
  • Anpassbare Transmitteroptionen verfügbar für maßgeschneiderte Designs

Emerson Paineâ„¢-Serie 211-37-520

  • Hochdruck- und Temperatursensor
  • Als ideale Lösung für Tiefbohrungen, Unterwasser- und Industrie-Design betrachtet
  • Volllast-(F.S.) Empfindlichkeit von 2,6 mV/V ±0,2%
  • Externer Gehäusedruck bis zu 20.000 PSI
  • Vollverschweißte, abgedichtete Konstruktion bietet Haltbarkeit, Widerstandsfähigkeit und Stabilität in rauen und korrosiven Umgebungen
  • Nichtlinearität und Hysterese kombiniert: ±0,15% F.S. max (BSLM)

IF1320ST3

InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF1322AS08

InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

IF1322S08

InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

IF140AST3

InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF140AT72

InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

IF140ST3

InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF170AST3

InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF170BST3

InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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