Präzisionsinstrumente

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

Datenblatt

Metis Engineering Cell Guard

Cell Guard ist ein CAN-basiertes Umweltsensorgerät, das folgende Messungen durchführen kann:

Absolutdruck: 0,3 bis 1,2 Bar
Lufttemperatur: -40°C bis +125°C
Flüchtige organische Verbindungen (VOCs): 0 bis 6553,5 ppm
Absolute Luftfeuchtigkeit: 0 bis 35000 mg/m³
Relative Luftfeuchtigkeit: 0 bis 100%

Für schnelle Desktop-Analysen können Sie das Nano-Entwicklungskit verwenden.

Datenblatt

Nano-Entwicklungskit

Entwicklungsboard
Netzgerät
Sensorkabel
DB9-Kabel

Sensoren nicht enthalten

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

PAT0510S von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0402
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PAT0816 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0603
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PAT1220 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0805
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PAT1632 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1206
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB) und 16 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PAT3042S von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1612
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB), 16 dB bzw. 20 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω bzw. 75 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PBH-Serie von Isabellenhütte

Präzisions-Leistungswiderstand
Ausführung für die Durchsteckmontage mit 2 Anschlussklemmen
Widerstandsbereich von 0,002 Ω bis 100 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 10 W auf einem geeigneten Kühlkörper
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

Datenblatt

PLU-Serie von Isabellenhütte

Präzisionswiderstand für die Strommessung
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 4 Anschlussklemmen in Gehäusegröße 2439
Widerstandswert von 0,001 Ω
Toleranzwert von ±5 %
TK-Wert von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

Datenblatt

PMH-Serie von Isabellenhütte

Bondbarer Präzisionswiderstand für hohe Leistungen
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 2 bzw. 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2512
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 0,4 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK-Wert von < ±30 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -55 °C bis +170 °C

Datenblatt

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

Metis Engineering Cell Guard

Cell Guard ist ein CAN-basiertes Umweltsensorgerät, das folgende Messungen durchführen kann:

Absolutdruck: 0,3 bis 1,2 Bar
Lufttemperatur: -40°C bis +125°C
Flüchtige organische Verbindungen (VOCs): 0 bis 6553,5 ppm
Absolute Luftfeuchtigkeit: 0 bis 35000 mg/m³
Relative Luftfeuchtigkeit: 0 bis 100%

Für schnelle Desktop-Analysen können Sie das Nano-Entwicklungskit verwenden.

Nano-Entwicklungskit

Entwicklungsboard
Netzgerät
Sensorkabel
DB9-Kabel

Sensoren nicht enthalten

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

PAT0510S von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0402
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PAT0816 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0603
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PAT1220 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 0805
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB)
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PAT1632 von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1206
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB) und 16 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PAT3042S von Susumu

Hochpräzises Chip-Dämpfungsglied
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1612
Dämpfung von 0 dB bis 10 dB (in Schritten von 1 dB), 16 dB bzw. 20 dB
Dämpfungstoleranz bis minimal ±0,3 dB
Impedanz von 50 Ω bzw. 75 Ω
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PBH-Serie von Isabellenhütte

Präzisions-Leistungswiderstand
Ausführung für die Durchsteckmontage mit 2 Anschlussklemmen
Widerstandsbereich von 0,002 Ω bis 100 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 10 W auf einem geeigneten Kühlkörper
Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C

PLU-Serie von Isabellenhütte

Präzisionswiderstand für die Strommessung
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 4 Anschlussklemmen in Gehäusegröße 2439
Widerstandswert von 0,001 Ω
Toleranzwert von ±5 %
TK-Wert von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

PMH-Serie von Isabellenhütte

Bondbarer Präzisionswiderstand für hohe Leistungen
Vergoldete Ausführung für die Oberflächenmontage mit 2 bzw. 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2512
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 0,4 Ω
Toleranz ab ±0,5 %
TK-Wert von < ±30 ppm/°C
Nennleistung von 5 W
Temperaturbereich von -55 °C bis +170 °C

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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Militär und Verteidigung

Öl und Gas