Öl und Gas

  • RdF

29230 von RdF

  • Oberflächen-Platin-RTD-Temperatursensor
  • Temperaturbereich -200°C bis +260°C
  • Zeitkonstante von <0,3s auf Metalloberflächen
  • 100 ±0,12Ω oder 1000 ±1,2Ω bei 0°C (Internationale Klasse B)
  • Langzeitstabilität <0,05°C pro 5 Jahre
  • 2 oder 3 Drahtkonfigurationsoptionen verfügbar
  • Erhältlich
  • RdF

29309 von RdF

  • Oberflächen-Platin-RTD-Temperatursensor
  • Temperaturbereich -200°C bis +260°C
  • Zeitkonstante von <0,3s auf Metalloberflächen
  • 100 ±0,12Ω oder 1000 ±1,2Ω bei 0°C (Internationale Klasse B)
  • Langzeitstabilität <0,05°C pro 5 Jahre
  • 4-Draht-Konfiguration
  • Erhältlich
  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

DPAD1

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • Paine

Emerson Paine™ 210-60-090 Serie

  • Sehr geringe thermische Empfindlichkeitsänderung von ±0,01 % des Endwertes pro °C
  • Kleine, leichte Anbauweise für einfache Installation
  • Temperaturkompensiertes Design bietet hochgenaue Druckmessungen
  • Stoß- und vibrationsbeständiges Design bietet hochgenaue und zuverlässige Drucküberwachung unter verschiedenen Betriebsbedingungen
  • Robuste Lösung hält widrigen Umgebungen stand für eine lang anhaltende Leistung
  • Maßgeschneiderte elektrische Anschlüsse und Druckanschlussadapter sind auf Anfrage erhältlich

29230 von RdF

  • Oberflächen-Platin-RTD-Temperatursensor
  • Temperaturbereich -200°C bis +260°C
  • Zeitkonstante von <0,3s auf Metalloberflächen
  • 100 ±0,12Ω oder 1000 ±1,2Ω bei 0°C (Internationale Klasse B)
  • Langzeitstabilität <0,05°C pro 5 Jahre
  • 2 oder 3 Drahtkonfigurationsoptionen verfügbar

29309 von RdF

  • Oberflächen-Platin-RTD-Temperatursensor
  • Temperaturbereich -200°C bis +260°C
  • Zeitkonstante von <0,3s auf Metalloberflächen
  • 100 ±0,12Ω oder 1000 ±1,2Ω bei 0°C (Internationale Klasse B)
  • Langzeitstabilität <0,05°C pro 5 Jahre
  • 4-Draht-Konfiguration

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Emerson Paine™ 210-60-090 Serie

  • Sehr geringe thermische Empfindlichkeitsänderung von ±0,01 % des Endwertes pro °C
  • Kleine, leichte Anbauweise für einfache Installation
  • Temperaturkompensiertes Design bietet hochgenaue Druckmessungen
  • Stoß- und vibrationsbeständiges Design bietet hochgenaue und zuverlässige Drucküberwachung unter verschiedenen Betriebsbedingungen
  • Robuste Lösung hält widrigen Umgebungen stand für eine lang anhaltende Leistung
  • Maßgeschneiderte elektrische Anschlüsse und Druckanschlussadapter sind auf Anfrage erhältlich

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