Militär und Verteidigung

  • SRT Microcéramique

SRT Microcéramique Stapelkondensator Hochspannung 2kV

  • Stapelnkondensator mit hoher Spannung
  • Hohe Spannungskapazität (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion für hohe Kapazität
  • Erhältlich in NP0, N2T und X7R-Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL für hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhöhten Temperaturen (125°C) und Spannungen für 48 Stunden
  • Konform
  • SRT Microcéramique

SRT Microcéramique Stapelkondensator Hochspannung 8kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfähigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion für hohe Kapazität
  • Erhältlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL für hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhöhten Temperaturen (125 °C) und Spannungen für 48 Stunden
  • Konform
  • SRT Microcéramique

SRT Microcéramique-SMD-Impulsenergiekondensatoren

  • Hochspannungsimpulskondensator
  • Kapazitätsbereich: 12nF bis 1.2µF
  • Spannungsbewertungen: 1000V bis 3000V
  • Nicht piezo-Impulskeramik, stabil, konstant hoch
  • Temperatur bis zu 200°C
  • Erhältlich als Stapel mit J L M Anschlüssen
  • Konform
  • InterFET

U308

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

U309

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.
  • Konform
  • VPG Foil Resistors

VPG FRCS2512

  • Hochpräziser Strommesswiderstand im Surface-Mount-Gehäuse
  • Gehäusegröße 2512
  • TCR auf maximal ±5 ppm/°C (–55°C bis +125°C, +25°C Bezug)
  • Nennleistung bei 70°C: 1 W
  • Widerstandstoleranz: auf ±0,1%
  • Widerstandsbereich: 100 mΩ bis 1 Ω
  • Konform
  • VPG Foil Resistors

VPG FRCS3637

  • Hochpräziser Oberflächenmontierter Widerstand für präzise Strommessung
  • Größe des 3637-Gehäuses
  • Maximal 10 ppm/°C (–55°C bis +125°C, +25°C Referenz)
  • Leistung: bis zu 4 W
  • Widerstandstoleranz: bis ±0,1%
  • Widerstandsbereich: 40 mΩ bis 500 mΩ
  • Konform

SRT Microcéramique Stapelkondensator Hochspannung 2kV

  • Stapelnkondensator mit hoher Spannung
  • Hohe Spannungskapazität (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion für hohe Kapazität
  • Erhältlich in NP0, N2T und X7R-Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL für hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhöhten Temperaturen (125°C) und Spannungen für 48 Stunden

SRT Microcéramique Stapelkondensator Hochspannung 8kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfähigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion für hohe Kapazität
  • Erhältlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL für hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhöhten Temperaturen (125 °C) und Spannungen für 48 Stunden

SRT Microcéramique-SMD-Impulsenergiekondensatoren

  • Hochspannungsimpulskondensator
  • Kapazitätsbereich: 12nF bis 1.2µF
  • Spannungsbewertungen: 1000V bis 3000V
  • Nicht piezo-Impulskeramik, stabil, konstant hoch
  • Temperatur bis zu 200°C
  • Erhältlich als Stapel mit J L M Anschlüssen

U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

VPG FRCS2512

  • Hochpräziser Strommesswiderstand im Surface-Mount-Gehäuse
  • Gehäusegröße 2512
  • TCR auf maximal ±5 ppm/°C (–55°C bis +125°C, +25°C Bezug)
  • Nennleistung bei 70°C: 1 W
  • Widerstandstoleranz: auf ±0,1%
  • Widerstandsbereich: 100 mΩ bis 1 Ω

VPG FRCS3637

  • Hochpräziser Oberflächenmontierter Widerstand für präzise Strommessung
  • Größe des 3637-Gehäuses
  • Maximal 10 ppm/°C (–55°C bis +125°C, +25°C Referenz)
  • Leistung: bis zu 4 W
  • Widerstandstoleranz: bis ±0,1%
  • Widerstandsbereich: 40 mΩ bis 500 mΩ

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