Leistungsregelung

DTPM-Adapterkarte AB126/127 Montage

Adapterplatine AB126/127 mit SMD-Widerständen
Widerstandsbereiche von 0,0068 Ω bis 3,9 Ω *
Toleranzen von 0,5 % und 1 %
Leistungsfähigkeit von 5W

Datenblatt

DTPM-Adapterkarte AB129 Montage

Adapterplatine AB129 mit SMD-Widerständen
Widerstandsbereiche von 0,001 Ω bis 1 Ω *
Toleranzen von 0,5% und 1%
Nennleistung von 4W

Datenblatt

Exxelia Ohmcraft HVCD 3512

Hochspannungs-Oberflächenmontage-Chip-Divider
Spannungsbewertung bis zu 2000V
Widerstandsbereich von 40MΩ bis 10GΩ
Verhältnistoleranzen so eng wie ±1%
TCR-Nachverfolgung so niedrig wie ±25 ppm/°C
Leistungsbewertung von 100mW

Datenblatt

FMK-Serie von Isabellenhütte

Strommesswiderstand
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 1206
Widerstandsbereich von 0,0015 Ω bis 0,006 Ω
Toleranzen von ±1 % und ±5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 4 W bei 70 °C
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

Datenblatt

FMP-Serie von Isabellenhütte

Strommesswiderstand
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 2010
Widerstandsbereich von 0,0015 Ω bis 0,006 Ω
Toleranzen von ±1,0 % und ±5,0 %
TK von < 50 ppm/K
Nennleistung von bis zu 4 W (bei 70 °C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

Datenblatt

FMS-Serie von Isabellenhütte

Strommesswiderstand
Ausführung für die Oberflächenmontage in Chip-Größe 2512
Widerstandsbereich von 0,0015 Ω bis 0,006 Ω
Toleranzen von ±1 % und ±5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 4 W (bei 70 °C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

Datenblatt

GMP-Serie von Isabellenhütte

Flip-Chip-Widerstand für die Strommessung
Ausführung für die Oberflächenmontage mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2010
Widerstandsbereich von 0,01 Ω bis 0,08 Ω
Toleranzen von ±1 % und ±5 %
TK von < 50 ppm/°C
Nennleistung von 1 W (bei 110 °C)
Temperaturbereich von -65 °C bis +170 °C

Datenblatt

HC-Serie von VPG

Hermetisch dichter Ultrapräzisionswiderstand
Widerstandsbereich von 1 Ω bis 120 kΩ
Toleranz von ±0,005 % bis ±1 %
TK von ±1 ppm/°C bis ±15 ppm/°C
Nennleistung von 0,3 W (bei 125 °C)
Temperaturbereich von -65 °C bis zu +150 °C

Datenblatt

IF1320ST3

InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF1322AS08

InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

Datenblatt

IF1322S08

InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

Datenblatt

IF140AST3

InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF140AT72

InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

IF140ST3

InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170AST3

InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170BST3

InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt