Gesundheitswesen & Medizin

  • Merit Sensor

Merit Sensor CMS Serie

  • Vollstรคndig kompensierter, digitaler I2C- und SPI-Drucksensor
  • Kompakte GrรถรŸe, ideal fรผr kleine Gerรคte.
  • Druckbereich von 2 bis 150 PSI verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Optimiert fรผr energieeffiziente Anwendungen.
  • Betriebsspannungsbereich von 2,7V bis 5,5V.
  • Hoher Berstdruck: widersteht dem 2- bis 100-fachen des maximalen Betriebsdrucks.
  • Merit Sensor

Merit Sensor HTS Serie

Merit Sensor HTS Series
  • Oberflรคchenmontierbarer analoger und digitaler Drucksensor
  • Druckbereiche von 1 bis 100 psi
  • Absolut- oder Manometeroptionen verfรผgbar
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +125ยฐC
  • Kompatibel mit nassen, korrosiven Medien
  • Merit Sensor

Merit Sensor LP1400 Serie

  • Unvergรผteter oberflรคchenmontierbarer Drucksensor mit J-Anschlรผssen
  • Geeignet fรผr Anwendungen mit extrem niedrigem Druck
  • Entwickelt fรผr saubere, trockene Luft und nicht korrosive Gase
  • Sentiumยฎ-Technologie entwickelt, um einen Betriebstemperaturbereich auf hรถchstem Niveau und รผberlegene Stabilitรคt zu bieten
  • Merit Sensor

Merit Sensor LP1410 Serie

  • Analoger Druck sensor mit kompensierter Ausgabe, oberflรคchenmontierbar mit J-Anschlรผssen
  • Geeignet fรผr ultraniedrige Drucksensoren Anwendungen
  • Entwickelt fรผr saubere, trockene Luft und nicht korrosive Gase
  • Sentiumยฎ-Technologie entwickelt, um einen Betriebstemperaturbereich der Spitzenklasse und รผberragende Stabilitรคt zu bieten
  • Merit Sensor

Merit Sensor LP1420 Serie

  • Oberflรคchenmontierbarer Drucksensor mit digital kompensiertem Ausgang und J-Leitungen
  • Geeignet fรผr Anwendungen mit sehr niedrigem Druck
  • Konzipiert fรผr saubere, trockene Luft und nicht korrosive Gase
  • Taktrate von 1MHz
  • Versorgungsspannung von 5V
  • Die Sentiumยฎ-Technologie wurde entwickelt, um einen klassenbesten Betriebstemperaturbereich und รผberlegene Stabilitรคt zu bieten
  • Merit Sensor

Merit Sensor MSS100 Serie

  • Vollstรคndig kompensierter Druckwandler.
  • Kompaktes und leichtes Design.
  • Einfache elektrische Verbindung รผber Molex-Stecker.
  • Entwickelt fรผr medizinische, pharmazeutische und bioverarbeitende Anwendungen.
  • Druckbereich 5 bis 100 psi (Kompund, Vakuum, absolut oder relativ).
  • Betriebstemperatur 10ยฐC bis 50ยฐC.
  • Merit Sensor

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC
  • Merit Sensor

Merit Sensor S Serie

Merit Sensor S Series
  • Prรคziser MEMS-Silizium-Drucksensorchip
  • Druckbereiche von 5 bis 300psi / 0,34 bis 21 bar
  • Druckart: absolut oder รœberdruck
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +150ยฐC
  • Skalenendwerte von 60mV bis 180mV (bei 5V Erregung)
  • Geeignet fรผr saubere, trockene Luft und nicht-korrosive Gase
  • Merit Sensor

Merit Sensor TRVF Serie

Merit Sensors Drucksensor der Serie TRVF
  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.
  • InterFET

P1086

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

PAD1

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

PN4117

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

PN4117A

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP152

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP3971

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4092

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

Merit Sensor CMS Serie

  • Vollstรคndig kompensierter, digitaler I2C- und SPI-Drucksensor
  • Kompakte GrรถรŸe, ideal fรผr kleine Gerรคte.
  • Druckbereich von 2 bis 150 PSI verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Optimiert fรผr energieeffiziente Anwendungen.
  • Betriebsspannungsbereich von 2,7V bis 5,5V.
  • Hoher Berstdruck: widersteht dem 2- bis 100-fachen des maximalen Betriebsdrucks.

Merit Sensor HTS Serie

  • Oberflรคchenmontierbarer analoger und digitaler Drucksensor
  • Druckbereiche von 1 bis 100 psi
  • Absolut- oder Manometeroptionen verfรผgbar
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +125ยฐC
  • Kompatibel mit nassen, korrosiven Medien

Merit Sensor LP1400 Serie

  • Unvergรผteter oberflรคchenmontierbarer Drucksensor mit J-Anschlรผssen
  • Geeignet fรผr Anwendungen mit extrem niedrigem Druck
  • Entwickelt fรผr saubere, trockene Luft und nicht korrosive Gase
  • Sentiumยฎ-Technologie entwickelt, um einen Betriebstemperaturbereich auf hรถchstem Niveau und รผberlegene Stabilitรคt zu bieten

Merit Sensor LP1410 Serie

  • Analoger Druck sensor mit kompensierter Ausgabe, oberflรคchenmontierbar mit J-Anschlรผssen
  • Geeignet fรผr ultraniedrige Drucksensoren Anwendungen
  • Entwickelt fรผr saubere, trockene Luft und nicht korrosive Gase
  • Sentiumยฎ-Technologie entwickelt, um einen Betriebstemperaturbereich der Spitzenklasse und รผberragende Stabilitรคt zu bieten

Merit Sensor LP1420 Serie

  • Oberflรคchenmontierbarer Drucksensor mit digital kompensiertem Ausgang und J-Leitungen
  • Geeignet fรผr Anwendungen mit sehr niedrigem Druck
  • Konzipiert fรผr saubere, trockene Luft und nicht korrosive Gase
  • Taktrate von 1MHz
  • Versorgungsspannung von 5V
  • Die Sentiumยฎ-Technologie wurde entwickelt, um einen klassenbesten Betriebstemperaturbereich und รผberlegene Stabilitรคt zu bieten

Merit Sensor MSS100 Serie

  • Vollstรคndig kompensierter Druckwandler.
  • Kompaktes und leichtes Design.
  • Einfache elektrische Verbindung รผber Molex-Stecker.
  • Entwickelt fรผr medizinische, pharmazeutische und bioverarbeitende Anwendungen.
  • Druckbereich 5 bis 100 psi (Kompund, Vakuum, absolut oder relativ).
  • Betriebstemperatur 10ยฐC bis 50ยฐC.

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC

Merit Sensor S Serie

  • Prรคziser MEMS-Silizium-Drucksensorchip
  • Druckbereiche von 5 bis 300psi / 0,34 bis 21 bar
  • Druckart: absolut oder รœberdruck
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +150ยฐC
  • Skalenendwerte von 60mV bis 180mV (bei 5V Erregung)
  • Geeignet fรผr saubere, trockene Luft und nicht-korrosive Gase

Merit Sensor TRVF Serie

  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

SMP152

InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP3971

InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4092

InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

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