Antriebstechnik

  • RARA

RARA ULV80

RARA Aluminum Housed, Chassis Mount Resistor Model: IRH, IRV, ULH, ULV, ARH, ARV
  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option fรผr fliegende Anschlรผsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausfรผhrung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +200ยฐC
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehรคuse
  • UL-geprรผft
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA ULV800

  • Metallummantelter, drahtgewickelter Widerstand
  • Wahlweise fliegende Leitungen, Parallel- oder Reihenschaltung
  • Induktive oder nicht-induktive Ausfรผhrung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20Mฮฉ
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +200ยฐC
  • UL-geprรผft
  • Zementierte Ausfรผhrung mit stranggepresstem Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlastung von 10 x Nennleistung in 5 Sekunden
  • RESl

Resi PZFR Series

Prรคzisions-Folien-Chipwiderstand mit 5 ฮฉ bis 125 kฮฉ, ยฑ0,01 % Toleranz und ยฑ2 ppm TCR fรผr ultrastabile SMD-Schaltungen.
  • Susumu

RL0510 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 0402
  • Widerstandswerte von 0,001 ฮฉ bis 47 ฮฉ
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis +125 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % (F), ยฑ2 % (G) bzw. ยฑ5 % (J)
  • Nennleistung von minimal 0,125 W
  • Susumu

RL0816 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 0603
  • Widerstandswerte von 0,02 ฮฉ bis 68 ฮฉ
  • Temperaturbereichsoptionen von -55 ยฐC bis +155 ยฐC/+175 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % (F), ยฑ2 % (G) bzw. ยฑ5 % (J)
  • Nennleistung von minimal 0,2 W
  • Susumu

RL1220 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 0805
  • Widerstandswerte von 0,01 ฮฉ bis 100 ฮฉ
  • Temperaturbereichsoptionen von -55 ยฐC bis +155 ยฐC/+175 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % (F), ยฑ2 % (G) bzw. ยฑ5 % (J)
  • Nennleistung von bis zu 0,33 W
  • Susumu

RL1632 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 1206
  • Widerstandswerte von 0,01 ฮฉ bis 4,7 ฮฉ
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis +125 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % bzw. ยฑ2 %
  • Nennleistung von 0,5 W
  • Isabellenhรผtte

SMK-R000-Serie von Isabellenhรผtte

  • Null-Ohm-Jumper/Strombrรผcke
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage in Chip-GrรถรŸe 1206
  • Widerstandswert von weniger als 200 ยตฮฉ
  • Nennleistung von 0,5 W (bei +120 ยฐC)
  • Nennstrom von 50 A DC
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC
  • InterFET

SMP152

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP3971

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4092

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4117

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4117A

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4118

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4118 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4118A

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4118A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • InterFET

SMP4220

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4220 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 6pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

RARA ULV80

  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option fรผr fliegende Anschlรผsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausfรผhrung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +200ยฐC
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehรคuse
  • UL-geprรผft
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA ULV800

  • Metallummantelter, drahtgewickelter Widerstand
  • Wahlweise fliegende Leitungen, Parallel- oder Reihenschaltung
  • Induktive oder nicht-induktive Ausfรผhrung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20Mฮฉ
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +200ยฐC
  • UL-geprรผft
  • Zementierte Ausfรผhrung mit stranggepresstem Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlastung von 10 x Nennleistung in 5 Sekunden

Resi PZFR Series

Prรคzisions-Folien-Chipwiderstand mit 5 ฮฉ bis 125 kฮฉ, ยฑ0,01 % Toleranz und ยฑ2 ppm TCR fรผr ultrastabile SMD-Schaltungen.

RL0510 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 0402
  • Widerstandswerte von 0,001 ฮฉ bis 47 ฮฉ
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis +125 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % (F), ยฑ2 % (G) bzw. ยฑ5 % (J)
  • Nennleistung von minimal 0,125 W

RL0816 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 0603
  • Widerstandswerte von 0,02 ฮฉ bis 68 ฮฉ
  • Temperaturbereichsoptionen von -55 ยฐC bis +155 ยฐC/+175 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % (F), ยฑ2 % (G) bzw. ยฑ5 % (J)
  • Nennleistung von minimal 0,2 W

RL1220 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 0805
  • Widerstandswerte von 0,01 ฮฉ bis 100 ฮฉ
  • Temperaturbereichsoptionen von -55 ยฐC bis +155 ยฐC/+175 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % (F), ยฑ2 % (G) bzw. ยฑ5 % (J)
  • Nennleistung von bis zu 0,33 W

RL1632 von Susumu

  • Niederohmiger Chip-Widerstand in Dรผnnschicht-Technik
  • Kurzseitig kontaktierte Ausfรผhrung in Chip-GrรถรŸe 1206
  • Widerstandswerte von 0,01 ฮฉ bis 4,7 ฮฉ
  • Temperaturbereich von -55 ยฐC bis +125 ยฐC
  • Toleranzen von ยฑ1 % bzw. ยฑ2 %
  • Nennleistung von 0,5 W

SMK-R000-Serie von Isabellenhรผtte

  • Null-Ohm-Jumper/Strombrรผcke
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage in Chip-GrรถรŸe 1206
  • Widerstandswert von weniger als 200 ยตฮฉ
  • Nennleistung von 0,5 W (bei +120 ยฐC)
  • Nennstrom von 50 A DC
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC

SMP152

InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP3971

InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4092

InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4117

InterFET SMP4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4117A

InterFET SMP4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4118

InterFET SMP4118 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4118A

InterFET SMP4118A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMP4220

InterFET SMP4220 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 6pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

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