Antriebstechnik

  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.
  • Konform
  • Core Sensors

CS11 von Core Sensors

  • Kompakter mediengetrennter Drucksensor
  • Druckbereiche: von 0–2 bis zu 2.000 PSI
  • Genauigkeit: bis zu ≤ ±0,25 % BFSL
  • Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,2 % FS
  • Druckzyklen: 10 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 4.000 PSI
  • Konform
  • Core Sensors

CS50 von Core Sensors

  • Nicht zündfähiger Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 50 bis zu 30.000 PSI
  • Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL bei 25 °C
  • Stabilität: ≤ ±0,25 % FS
  • Druckzyklen: 100 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 60.000 PSI
  • Konform
  • Core Sensors

CS51 von Core Sensors

  • Nicht zündfähiger Niederdruck-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1 PSI bis zu 49 PSI
  • Temperaturbereich: -20 °C bis +80 °C*
  • Genauigkeit: bis zu ≤ ±0,25 % BFSL bei 25 °C**
  • Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,25 % FS
  • Druckzyklen: 100 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Konform
  • Core Sensors

CS82 von Core Sensors

  • Eigensicherer tauchfester Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1 PSI bis zu 50 PSI
  • Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL
  • Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,25 % FS
  • Druckzyklen: 50 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 250 PSI
  • Konform

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

CS11 von Core Sensors

  • Kompakter mediengetrennter Drucksensor
  • Druckbereiche: von 0–2 bis zu 2.000 PSI
  • Genauigkeit: bis zu ≤ ±0,25 % BFSL
  • Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,2 % FS
  • Druckzyklen: 10 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 4.000 PSI

CS50 von Core Sensors

  • Nicht zündfähiger Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 50 bis zu 30.000 PSI
  • Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL bei 25 °C
  • Stabilität: ≤ ±0,25 % FS
  • Druckzyklen: 100 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 60.000 PSI

CS51 von Core Sensors

  • Nicht zündfähiger Niederdruck-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1 PSI bis zu 49 PSI
  • Temperaturbereich: -20 °C bis +80 °C*
  • Genauigkeit: bis zu ≤ ±0,25 % BFSL bei 25 °C**
  • Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,25 % FS
  • Druckzyklen: 100 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum

CS82 von Core Sensors

  • Eigensicherer tauchfester Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1 PSI bis zu 50 PSI
  • Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL
  • Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,25 % FS
  • Druckzyklen: 50 Millionen
  • Überdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 250 PSI

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