Antriebstechnik

  • InterFET

2N4868

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4868A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N4869A

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5114

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5115

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5116

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5397

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N5398

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6451

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6453

InterFET Product Image (TO-72)
InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.
  • InterFET

2N6550

InterFET Product Image (TO-46)
InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.
  • Core Sensors

CS11 von Core Sensors

  • Kompakter mediengetrennter Drucksensor
  • Druckbereiche: von 0โ€“2 bis zu 2.000ย PSI
  • Genauigkeit: bis zu โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,2ย % FS
  • Druckzyklen: 10ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 4.000ย PSI
  • Core Sensors

CS50 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 50 bis zu 30.000ย PSI
  • Genauigkeit: โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC
  • Stabilitรคt: โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 60.000ย PSI
  • Core Sensors

CS51 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Niederdruck-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1ย PSI bis zu 49ย PSI
  • Temperaturbereich: -20ย ยฐC bis +80ย ยฐC*
  • Genauigkeit: bis zu โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC**
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Core Sensors

CS82 von Core Sensors

  • Eigensicherer tauchfester Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1ย PSI bis zu 50ย PSI
  • Genauigkeit: โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 50ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 250ย PSI

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehรคuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehรคuse.

CS11 von Core Sensors

  • Kompakter mediengetrennter Drucksensor
  • Druckbereiche: von 0โ€“2 bis zu 2.000ย PSI
  • Genauigkeit: bis zu โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,2ย % FS
  • Druckzyklen: 10ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 4.000ย PSI

CS50 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 50 bis zu 30.000ย PSI
  • Genauigkeit: โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC
  • Stabilitรคt: โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 60.000ย PSI

CS51 von Core Sensors

  • Nicht zรผndfรคhiger Niederdruck-Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1ย PSI bis zu 49ย PSI
  • Temperaturbereich: -20ย ยฐC bis +80ย ยฐC*
  • Genauigkeit: bis zu โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL bei 25ย ยฐC**
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 100ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum

CS82 von Core Sensors

  • Eigensicherer tauchfester Druckmessumformer
  • Druckbereiche: von 1ย PSI bis zu 50ย PSI
  • Genauigkeit: โ‰คย ยฑ0,25ย % BFSL
  • Stabilitรคt (1ย Jahr): โ‰คย ยฑ0,25ย % FS
  • Druckzyklen: 50ย Millionen
  • รœberdruck: 2x Minimum
  • Berstdruck: 5x oder 250ย PSI

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