+49 9337 9712-520

Unterwasser

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

Core Sensors CS60 Serie

Explosionsgeschützter Druckmessumformer
Druckbereiche von 50 PSI bis 30.000 PSI
Einteilige Membrankonstruktion – keine internen O-Ringe oder Schweißnähte
Werkseitig abgedichtetes Gehäuse aus Edelstahl – Widersteht rauen Umgebungen
Genauigkeit von ≤±0,25% BFSL bei 25°C (<10.000 PSI)
Druckzyklen von 100 Millionen
Überdruck von mindestens 2x

CS15 von Core Sensors

Tauchfester Freistrom-Druckmessumformer
Druckbereiche: von 2 PSI bis 50 PSI
Frontbündiges Membranventil verhindert Verstopfen
Membranventilmaterial: Hastelloy C276
Schutzart IP68
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Kompensierte Temperatur: 0 °C bis +55 °C

CS20 von Core Sensors

Industrieller Temperaturtransmitter
Sensortyp RTD, PT100, Klasse B
Temperaturbereich des Mediums: -40 °C bis zu +200 °C*
Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis zu +85 °C
Gesamtfehler bei RT und FS: ≤ ±1 %
Maximaler Druck: 5.000 PSI
Verstärktes Ausgangssignal: 4–20 mA oder 1–5 V

CS54 von Core Sensors

Nicht zündfähiger Differenzdruck-Messumformer
Differenzdruck: bis zu 50 PSI
Leitungsdruck: bis zu 500 PSI
Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL (≤ ±0,5 % BFSL max. 2 PSI)
Überdruck: 2x oder 500 PSI (der niedrigere Wert ist maßgeblich)
Temperaturbereich: -40 °C bis +80 °C
Temperaturbereich des Mediums: -40 °C bis +125 °C

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

Core Sensors CS60 Serie

Explosionsgeschützter Druckmessumformer
Druckbereiche von 50 PSI bis 30.000 PSI
Einteilige Membrankonstruktion – keine internen O-Ringe oder Schweißnähte
Werkseitig abgedichtetes Gehäuse aus Edelstahl – Widersteht rauen Umgebungen
Genauigkeit von ≤±0,25% BFSL bei 25°C (<10.000 PSI)
Druckzyklen von 100 Millionen
Überdruck von mindestens 2x

CS15 von Core Sensors

Tauchfester Freistrom-Druckmessumformer
Druckbereiche: von 2 PSI bis 50 PSI
Frontbündiges Membranventil verhindert Verstopfen
Membranventilmaterial: Hastelloy C276
Schutzart IP68
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Kompensierte Temperatur: 0 °C bis +55 °C

CS20 von Core Sensors

Industrieller Temperaturtransmitter
Sensortyp RTD, PT100, Klasse B
Temperaturbereich des Mediums: -40 °C bis zu +200 °C*
Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis zu +85 °C
Gesamtfehler bei RT und FS: ≤ ±1 %
Maximaler Druck: 5.000 PSI
Verstärktes Ausgangssignal: 4–20 mA oder 1–5 V

CS54 von Core Sensors

Nicht zündfähiger Differenzdruck-Messumformer
Differenzdruck: bis zu 50 PSI
Leitungsdruck: bis zu 500 PSI
Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL (≤ ±0,5 % BFSL max. 2 PSI)
Überdruck: 2x oder 500 PSI (der niedrigere Wert ist maßgeblich)
Temperaturbereich: -40 °C bis +80 °C
Temperaturbereich des Mediums: -40 °C bis +125 °C

Resources

Verwandte Artikel

Unterwasser