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Rhopoint Energy wurde als Spezialmarke von Rhopoint Components gegründet und widmet sich der Herstellung und dem technischen Support von Bauteilen, Sensoren und Anschlüssen für die Öl-,Gas- und Unterwasserindustrie sowie für erneuerbare Energien.

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2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

5E10 Mini-Ohm-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 10 Ω bis zu 200 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,2 W (Ausführung 5E10D)
Temperaturbereich von -55 °C bis zu +160 °C

5G10 Mini-Ohm-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 10 Ω bis zu 200 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,2 W (Ausführung 5G10D)
Temperaturbereich von -55 °C bis zu +160 °C

8E16 Econistor-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 1 Ω bis zu 699 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,33 W (Ausführung 8E16D)
Temperaturbereich von -55 °C bis zu +160 °C

8G16 Econistor-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit axialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 1 Ω bis zu 699 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung ab 0,33 W (Ausführung 8G16D)
Temperaturbereich von -55 °C bis zu +160 °C