Gesundheitswesen & Medizin

2N4868

InterFET 2N4868 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N4868A

InterFET 2N4868A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N4869

InterFET 2N4869 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N4869A

InterFET 2N4869A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N5114

InterFET 2N5114 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

2N5115

InterFET 2N5115 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

2N5116

InterFET 2N5116 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 27pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

2N5397

InterFET 2N5397 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N5398

InterFET 2N5398 N-Kanal-JFET mit N0026L-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5,5pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N6451

InterFET 2N6451 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N6453

InterFET 2N6453 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

2N6550

InterFET 2N6550 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem TO-46-Gehäuse.

Datenblatt

Coto CT04 Serie

Umspritzter Trocken-Reed-Schalter
Hoch Zuverlässige, hermetisch abgedichtete Kontakte für lange Lebensdauer – getestet bis zu 1 Milliarde Betriebszyklen
Ideal für SMD Bestückung
Band- und Spulenverpackung
Robuste Verkapselung
RoHS-konform

Datenblatt

Coto RR123-1H02-612 Serie

Digitaler Push-Pull TMR-Magnetsensor
Geringe Leistungsaufnahme von 20nA
Omnipolares Gegentaktverhalten
Versorgungsspannungsbereich von 1,0V bis 3,6V
Temperaturbereich von -40°C und +85°
LGA-4-Gehäusegröße

Datenblatt

Coto RR133-1E83-511 Serie

TMR Ultra-Niedrigverbrauchs-Digitalsensor für Magnetfelder
Omnipolare magnetische Feldantwort
Betriebliche Empfindlichkeit von 14 G (typisch)
Versorgungsspannungsbereich von 2,4V bis 5,5V
Betriebsfrequenz von 1 kHz
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +125°C

Datenblatt

DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

Umspritzter Trocken-Reed-Schalter
Hoch Zuverlässige, hermetisch abgedichtete Kontakte für lange Lebensdauer – getestet bis zu 1 Milliarde Betriebszyklen
Ideal für SMD Bestückung
Band- und Spulenverpackung
Robuste Verkapselung
RoHS-konform