+49 9337 9712-520

Rhopoint Energy wurde als Spezialmarke von Rhopoint Components gegründet und widmet sich der Herstellung und dem technischen Support von Bauteilen, Sensoren und Anschlüssen für die Öl-,Gas- und Unterwasserindustrie sowie für erneuerbare Energien.

Rhopoint Energy Sectors

Oil & Gas

View components

Renewables

View components

Subsea

View components

Rhopoint Energy

Services

Related Products

J202

InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J204

InterFET J204 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J230

InterFET J230 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J271

InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J304

InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

KRL0510 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Kurzseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 0402
Widerstandswerte von 0,05 Ω bis 0,1 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Toleranz von ±1 % bzw. ±2 %
Nennleistung von 0,2 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL0816 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Kurzseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 0603
Widerstandswerte von 0,05 Ω bis 0,1 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Toleranz von ±1 % bzw. ±2 %
Nennleistung von 0,3 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL11050 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Längsseitig kontaktierte Ausführung in Chip-Größe 4320
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Toleranz von ±1 % bzw. ±2 %
Nennleistung von 6 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL11050T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 4320
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 5 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert