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Rhopoint Energy wurde als Spezialmarke von Rhopoint Components gegründet und widmet sich der Herstellung und dem technischen Support von Bauteilen, Sensoren und Anschlüssen für die Öl-,Gas- und Unterwasserindustrie sowie für erneuerbare Energien.

Rhopoint Energy Sectors

Oil & Gas

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Rhopoint Energy

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Related Products

FLB-Serie von VPG

Hochpräzisionswiderstand
Ausführung für die Durchsteckmontage mit Schutzbeschichtung
Widerstandsbereich von 1 Ω bis 150 kΩ
Toleranz von ±0,02 % bis ±1 %
TK von ±2,5 ppm/°C oder ±5 ppm/°C
Nennleistung von 0,25 W (bei +70 °C)
Temperaturbereich von -25 °C bis zu +155 °C

FLC-Serie von VPG

Hochpräzisionswiderstand
Ausführung für die Durchsteckmontage mit Schutzbeschichtung
Widerstandsbereich von 1 Ω bis 200 kΩ
Toleranz von ±0,01 % bis ±1 %
TK von ±2,5 ppm/°C oder ±5 ppm/°C
Nennleistung von 0,25 W (bei +70 °C)
Temperaturbereich von -25 °C bis zu +155 °C

GG102 Squaristor-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit radialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 10 Ω bis zu 200 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,3 W (Ausführung GG102D)
Temperaturbereich von -55 °C bis +160 °C

GR102 Squaristor-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit radialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 10 Ω bis zu 200 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,3 W (Ausführung GR102D)
Temperaturbereich von -55 °C bis zu +160 °C

IF1320ST3

InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF1322AS08

InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

IF1322S08

InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

IF140AST3

InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF140AT72

InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

IF140ST3

InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF170AST3

InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF170BST3

InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF170CST3

InterFET IF170CST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF170DST3

InterFET IF170DST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

IF3601T39

InterFET IF3601T39 N-Kanal-JFET mit N3600L-Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-39-Gehäuse.

IF3602T78

InterFET IF3602T78 N-Kanal Dual Matched JFET mit N3600L Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.