Prüfung und Messung

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

Isabellenhütte IVT 3 Base

Strommesssensor (ASIL C)
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Temperaturmessung
Kommunikation basierend auf CAN 2.0B mit DBC
Gesamtgenauigkeit von ±0,4 % des Messwerts +0,1 A
Versorgungsspannung 12 V/24 V**
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT 3 Pro

Strommesssensor (ASIL C)
3-V- oder 6-V-Messkanäle (ASIL B)
Aktive Isolationsüberwachung (QM)
Temperaturmessung
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Spannungsmessung bis zu 1.250 V (Ext)
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT-S Serie

Strom- und Spannungsmesssensor
Nennstrom bis zu ±2.500 A
Spannungsbereich bis zu ±1.200 V (erweitert)
Kommunikation auf Basis von CANbus 2.0 und DBC
Genauigkeit von ±0,4 % des Messwerts
Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C

Isabellenhütte WAK Serie

Präzisionswiderstand zur Strommessung
Konstanter Strom bis zu 90A (0,5mΩ)
Widerstandsbereich von 0,0005Ω bis 0,001Ω
Toleranzen von ±1,0% und ±5,0%
TCR von <100 und <130 ppm/K
Nennleistung von 4W (bis zu 150°C)
AEC-Q200 qualifiziert

Datenblatt

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J174

InterFET J174 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J175

InterFET J175 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J177

InterFET J177 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J201

InterFET J201 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J202

InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J204

InterFET J204 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J230

InterFET J230 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.