Luft- und Raumfahrt

J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

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P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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RdF 20100-Serie

Butt gebondetes Folienthermoelement
Micro-foil® Dicke von 0,0128 mm (0,0005″)
Isolationswiderstand von 50 MΩ bei 50 V Gleichstrom in nicht geerdeten Verbindungsthermoelementen
2-Draht-Konfiguration
Abnehmbarer Kapton®-Rahmen für blankes Folienanwendungen
Standard-Leitungslänge von 6″, zusätzliche Längen auf Anfrage erhältlich

SMD Hochtemperatur-Kondensatoren der Klasse I

Hochtemperatur Klasse I SMD Kondensator
Kapazität von 0,1pF bis 330nF
Spannungen von 10V bis 2000V
Ultrastabiles, temperaturkompensierendes Klasse I Keramik bis 250°C
Getestet gemäß CECC 32100 und AEC-Q200
Angepasste Spannung, Gehäusegröße, Kapazitätswert auf Anfrage

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SMP-PW-Serie von Isabellenhütte

Präzisionswiderstand für die Strommessung mit Zulassung für die Raumfahrt
Ausführung für die Oberflächenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2010
Widerstandsbereich von 0,005 Ω bis 1 Ω
Toleranzen von ±0,5 % und ±1 %
TK ab < ±50 ppm/°C (+22 °C bis +60 °C)
Nennleistung von 1 W (bei +130 °C)
Temperaturbereich von -55 °C bis +170 °C

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SMP152

InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP3971

InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4092

InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4117

InterFET SMP4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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SMP4117A

InterFET SMP4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

RdF 20100-Serie

Butt gebondetes Folienthermoelement
Micro-foil® Dicke von 0,0128 mm (0,0005″)
Isolationswiderstand von 50 MΩ bei 50 V Gleichstrom in nicht geerdeten Verbindungsthermoelementen
2-Draht-Konfiguration
Abnehmbarer Kapton®-Rahmen für blankes Folienanwendungen
Standard-Leitungslänge von 6″, zusätzliche Längen auf Anfrage erhältlich