Luft- und Raumfahrt

ISOCOM CSMRLVGXXT8

Rastender Festkörperschalter für militärische und Raumfahrtanwendungen
Verfügbar in SPST-, SPDT-, DPST- und DPDT-Konfigurationen
Ausgangsströme bis zu 3 A
Militärischer Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C
Mikrocontroller-kompatibel, geringer Einschaltwiderstand

ISOCOM IS49

Einkanaliger, hermetisch abgedichteter Optokoppler
LCC-6-Gehäuseentwurf
Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 50mA
Isolationsspannung zwischen Eingängen und Ausgängen: 1.000 V DC
Geeignet für die Isolierung von digitalen oder analogen Hochgeschwindigkeitssignalen

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J174

InterFET J174 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J175

InterFET J175 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J177

InterFET J177 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J201

InterFET J201 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J202

InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J204

InterFET J204 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J230

InterFET J230 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J271

InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J304

InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

ISOCOM CSMRLVGXXT8

Rastender Festkörperschalter für militärische und Raumfahrtanwendungen
Verfügbar in SPST-, SPDT-, DPST- und DPDT-Konfigurationen
Ausgangsströme bis zu 3 A
Militärischer Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C
Mikrocontroller-kompatibel, geringer Einschaltwiderstand

ISOCOM IS49

Einkanaliger, hermetisch abgedichteter Optokoppler
LCC-6-Gehäuseentwurf
Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 50mA
Isolationsspannung zwischen Eingängen und Ausgängen: 1.000 V DC
Geeignet für die Isolierung von digitalen oder analogen Hochgeschwindigkeitssignalen

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