Luft- und Raumfahrt

Exxelia Ohmcraft HVCD 3512

Hochspannungs-Oberflächenmontage-Chip-Divider
Spannungsbewertung bis zu 2000V
Widerstandsbereich von 40MΩ bis 10GΩ
Verhältnistoleranzen so eng wie ±1%
TCR-Nachverfolgung so niedrig wie ±25 ppm/°C
Leistungsbewertung von 100mW

ICS-NH C8 Type Pressure Sensor

Hochpräziser Drucksensor
Entwickelt für statische und dynamische Messungen
Dehnungsmessstreifen in Dünnschichttechnik auf Edelstahl
Basissensor ohne aktive Verstärkung oder Kompensation
Hochpräzise Widerstände sind zu einer vollständigen Wheatstone-Brücke verbunden
Keine Kriecheffekte
Bester Schutz vor Umwelteinflüssen

IF1320ST3

InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF1322AS08

InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

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IF1322S08

InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

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IF140AST3

InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF140AT72

InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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IF140ST3

InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170AST3

InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170BST3

InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170CST3

InterFET IF170CST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170DST3

InterFET IF170DST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF3601T39

InterFET IF3601T39 N-Kanal-JFET mit N3600L-Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-39-Gehäuse.

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IF3602T78

InterFET IF3602T78 N-Kanal Dual Matched JFET mit N3600L Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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