Leistungsregelung

IF170CST3

InterFET IF170CST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170DST3

InterFET IF170DST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF3601T39

InterFET IF3601T39 N-Kanal-JFET mit N3600L-Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-39-Gehäuse.

Datenblatt

IF3602T78

InterFET IF3602T78 N-Kanal Dual Matched JFET mit N3600L Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

Datenblatt

IFN146

InterFET IFN146 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0450H Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-71-Gehäuse.

Datenblatt

IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

Isabellenhütte IVT 3 Base

Strommesssensor (ASIL C)
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Temperaturmessung
Kommunikation basierend auf CAN 2.0B mit DBC
Gesamtgenauigkeit von ±0,4 % des Messwerts +0,1 A
Versorgungsspannung 12 V/24 V**
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT 3 Pro

Strommesssensor (ASIL C)
3-V- oder 6-V-Messkanäle (ASIL B)
Aktive Isolationsüberwachung (QM)
Temperaturmessung
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Spannungsmessung bis zu 1.250 V (Ext)
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT-S Serie

Strom- und Spannungsmesssensor
Nennstrom bis zu ±2.500 A
Spannungsbereich bis zu ±1.200 V (erweitert)
Kommunikation auf Basis von CANbus 2.0 und DBC
Genauigkeit von ±0,4 % des Messwerts
Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

Strommesssensor (ASIL C)
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Temperaturmessung
Kommunikation basierend auf CAN 2.0B mit DBC
Gesamtgenauigkeit von ±0,4 % des Messwerts +0,1 A
Versorgungsspannung 12 V/24 V**
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT 3 Pro

Strommesssensor (ASIL C)
3-V- oder 6-V-Messkanäle (ASIL B)
Aktive Isolationsüberwachung (QM)
Temperaturmessung
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Spannungsmessung bis zu 1.250 V (Ext)
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT-S Serie

Strom- und Spannungsmesssensor
Nennstrom bis zu ±2.500 A
Spannungsbereich bis zu ±1.200 V (erweitert)
Kommunikation auf Basis von CANbus 2.0 und DBC
Genauigkeit von ±0,4 % des Messwerts
Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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