Industrial

  • Merit Sensor

Merit Sensor HTS Serie

Merit Sensor HTS Series
  • Oberflรคchenmontierbarer analoger und digitaler Drucksensor
  • Druckbereiche von 1 bis 100 psi
  • Absolut- oder Manometeroptionen verfรผgbar
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +125ยฐC
  • Kompatibel mit nassen, korrosiven Medien
  • Merit Sensor

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC
  • Merit Sensor

Merit Sensor S Serie

Merit Sensor S Series
  • Prรคziser MEMS-Silizium-Drucksensorchip
  • Druckbereiche von 5 bis 300psi / 0,34 bis 21 bar
  • Druckart: absolut oder รœberdruck
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +150ยฐC
  • Skalenendwerte von 60mV bis 180mV (bei 5V Erregung)
  • Geeignet fรผr saubere, trockene Luft und nicht-korrosive Gase
  • Merit Sensor

Merit Sensor TRVF Serie

Merit Sensors Drucksensor der Serie TRVF
  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.
  • InterFET

P1086

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

PAD1

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

PN4117

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

PN4117A

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • RARA

RARA FRH 25C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 15W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC
  • RARA

RARA FRH 50C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 25W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC
  • RARA

RARA HPS

rara_hps_product_image
  • Hochleistungs-Prรคzisions-Nebenschlusswiderstand
  • Widerstandsbereich von 0,001ฮฉ bis 0,01ฮฉ *
  • Toleranzen von ยฑ0,05% bis ยฑ1%
  • TCR von ยฑ5ppm/โ„ƒ, ยฑ10ppm/โ„ƒ *
  • Leistungsaufnahme von 250 W (auf einem geeigneten Kรผhlkรถrper)
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis +100ยฐC
  • RARA

RARA IRB120

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 1,3kฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 300ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 120W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA IRB60

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 270ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 56ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 60W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 5 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA IRB80

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 910ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 110ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 80W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA IRF100

RARA IRN/ULN/IRF/ULF Flat Type Metal Clad Wire Wound Resistors
  • Flachdrahtwiderstand mit Metallummantelung
  • Widerstandsoptionen von 1ฮฉ bis zu 1,1kฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 100 W (auf einem Kรผhlkรถrper)
  • Toleranzoptionen zwischen ยฑ0,5% und ยฑ10,0%
  • TCR von maximal +260 ppm/ยฐC
  • Fรผr die UL-Zulassung siehe die ULF-Serie
  • RARA

RARA IRF150

RARA IRN/ULN/IRF/ULF Flat Type Metal Clad Wire Wound Resistors
  • Flachdrahtwiderstand mit Metallummantelung
  • Widerstandsoptionen von 1ฮฉ bis zu 1,75kฮฉ
  • Leistungsaufnahme von 150 W (auf einem Kรผhlkรถrper)
  • Toleranzoptionen zwischen ยฑ0,5% und ยฑ10,0%
  • TCR von maximal +260 ppm/ยฐC
  • Fรผr die UL-Zulassung siehe die ULF-Serie

Merit Sensor HTS Serie

  • Oberflรคchenmontierbarer analoger und digitaler Drucksensor
  • Druckbereiche von 1 bis 100 psi
  • Absolut- oder Manometeroptionen verfรผgbar
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +125ยฐC
  • Kompatibel mit nassen, korrosiven Medien

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC

Merit Sensor S Serie

  • Prรคziser MEMS-Silizium-Drucksensorchip
  • Druckbereiche von 5 bis 300psi / 0,34 bis 21 bar
  • Druckart: absolut oder รœberdruck
  • Temperaturbereich -40ยฐC bis +150ยฐC
  • Skalenendwerte von 60mV bis 180mV (bei 5V Erregung)
  • Geeignet fรผr saubere, trockene Luft und nicht-korrosive Gase

Merit Sensor TRVF Serie

  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

RARA FRH 25C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 15W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC

RARA FRH 50C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 25W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC

RARA HPS

  • Hochleistungs-Prรคzisions-Nebenschlusswiderstand
  • Widerstandsbereich von 0,001ฮฉ bis 0,01ฮฉ *
  • Toleranzen von ยฑ0,05% bis ยฑ1%
  • TCR von ยฑ5ppm/โ„ƒ, ยฑ10ppm/โ„ƒ *
  • Leistungsaufnahme von 250 W (auf einem geeigneten Kรผhlkรถrper)
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis +100ยฐC

RARA IRB120

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 1,3kฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 300ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 120W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA IRB60

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 270ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 56ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 60W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 5 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA IRB80

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 910ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 110ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 80W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA IRF100

  • Flachdrahtwiderstand mit Metallummantelung
  • Widerstandsoptionen von 1ฮฉ bis zu 1,1kฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 100 W (auf einem Kรผhlkรถrper)
  • Toleranzoptionen zwischen ยฑ0,5% und ยฑ10,0%
  • TCR von maximal +260 ppm/ยฐC
  • Fรผr die UL-Zulassung siehe die ULF-Serie

RARA IRF150

  • Flachdrahtwiderstand mit Metallummantelung
  • Widerstandsoptionen von 1ฮฉ bis zu 1,75kฮฉ
  • Leistungsaufnahme von 150 W (auf einem Kรผhlkรถrper)
  • Toleranzoptionen zwischen ยฑ0,5% und ยฑ10,0%
  • TCR von maximal +260 ppm/ยฐC
  • Fรผr die UL-Zulassung siehe die ULF-Serie

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