Industrial

  • InterFET

J202

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J204

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J204 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J230

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J230 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J231

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J232

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J270

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J271

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J304

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J305

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J309

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J310

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

J507

InterFET Product Image (TO-92-2L)
InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.
  • Konform
  • Merit Sensor

Merit Sensor CMS Serie

  • Vollständig kompensierter, digitaler I2C- und SPI-Drucksensor
  • Kompakte Größe, ideal für kleine Geräte.
  • Druckbereich von 2 bis 150 PSI verfügbar (absolut oder relativ).
  • Optimiert für energieeffiziente Anwendungen.
  • Betriebsspannungsbereich von 2,7V bis 5,5V.
  • Hoher Berstdruck: widersteht dem 2- bis 100-fachen des maximalen Betriebsdrucks.
  • Merit Sensor

Merit Sensor HTS Serie

Merit Sensor HTS Series
  • Oberflächenmontierbarer analoger und digitaler Drucksensor
  • Druckbereiche von 1 bis 100 psi
  • Absolut- oder Manometeroptionen verfügbar
  • Temperaturbereich -40°C bis +125°C
  • Kompatibel mit nassen, korrosiven Medien
  • Konform
  • Merit Sensor

Merit Sensor RSH Serie

  • Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet für große Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40°C bis 150°C
  • Konform
  • Merit Sensor

Merit Sensor S Serie

Merit Sensor S Series
  • Präziser MEMS-Silizium-Drucksensorchip
  • Druckbereiche von 5 bis 300psi / 0,34 bis 21 bar
  • Druckart: absolut oder Überdruck
  • Temperaturbereich -40°C bis +150°C
  • Skalenendwerte von 60mV bis 180mV (bei 5V Erregung)
  • Geeignet für saubere, trockene Luft und nicht-korrosive Gase
  • Konform

J202

InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J204

InterFET J204 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J230

InterFET J230 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J271

InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J304

InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

Merit Sensor CMS Serie

  • Vollständig kompensierter, digitaler I2C- und SPI-Drucksensor
  • Kompakte Größe, ideal für kleine Geräte.
  • Druckbereich von 2 bis 150 PSI verfügbar (absolut oder relativ).
  • Optimiert für energieeffiziente Anwendungen.
  • Betriebsspannungsbereich von 2,7V bis 5,5V.
  • Hoher Berstdruck: widersteht dem 2- bis 100-fachen des maximalen Betriebsdrucks.

Merit Sensor HTS Serie

  • Oberflächenmontierbarer analoger und digitaler Drucksensor
  • Druckbereiche von 1 bis 100 psi
  • Absolut- oder Manometeroptionen verfügbar
  • Temperaturbereich -40°C bis +125°C
  • Kompatibel mit nassen, korrosiven Medien

Merit Sensor RSH Serie

  • Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet für große Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40°C bis 150°C

Merit Sensor S Serie

  • Präziser MEMS-Silizium-Drucksensorchip
  • Druckbereiche von 5 bis 300psi / 0,34 bis 21 bar
  • Druckart: absolut oder Überdruck
  • Temperaturbereich -40°C bis +150°C
  • Skalenendwerte von 60mV bis 180mV (bei 5V Erregung)
  • Geeignet für saubere, trockene Luft und nicht-korrosive Gase

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