Industrial

  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 10kV

  • Hochspannungs-Stapelschicht-Kondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100% getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 2kV

  • Stapelnkondensator mit hoher Spannung
  • Hohe Spannungskapazitรคt (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R-Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 8kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125 ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique-SMD-Impulsenergiekondensatoren

  • Hochspannungsimpulskondensator
  • Kapazitรคtsbereich: 12nF bis 1.2ยตF
  • Spannungsbewertungen: 1000V bis 3000V
  • Nicht piezo-Impulskeramik, stabil, konstant hoch
  • Temperatur bis zu 200ยฐC
  • Erhรคltlich als Stapel mit J L M Anschlรผssen
  • InterFET

U308

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.
  • InterFET

U309

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 10kV

  • Hochspannungs-Stapelschicht-Kondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100% getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 2kV

  • Stapelnkondensator mit hoher Spannung
  • Hohe Spannungskapazitรคt (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R-Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 8kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125 ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique-SMD-Impulsenergiekondensatoren

  • Hochspannungsimpulskondensator
  • Kapazitรคtsbereich: 12nF bis 1.2ยตF
  • Spannungsbewertungen: 1000V bis 3000V
  • Nicht piezo-Impulskeramik, stabil, konstant hoch
  • Temperatur bis zu 200ยฐC
  • Erhรคltlich als Stapel mit J L M Anschlรผssen

U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

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