Industrial

  • Merit Sensor

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC
  • Merit Sensor

Merit Sensor TRVF Serie

Merit Sensors Drucksensor der Serie TRVF
  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.
  • RARA

RARA SMW Serie

  • Hochleistungs-Drahtwiderstรคnde zur Oberflรคchenmontage
  • Verfรผgbare Leistungsstufen: 2W, 3W und 5W
  • GroรŸer Widerstandsbereich: 0,1ฮฉ bis 500ฮฉ
  • Prรคzise Toleranzen: ยฑ1 % & ยฑ5 %
  • Temperaturkoeffizient: 200 ppm/ยฐC
  • Flammhemmendes UL94V0-gehรคuse fรผr hohe Sicherheit
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Radialkondensator mit hoher Spannung in Tauchausfรผhrung

  • Radiale Hochspannungskondensatoren
  • Kapazitรคt von 0,4pF bis 47ยตF
  • TCR-Optionen von ยฑ30ppm/ยฐC (NP0) bis ยฑ15% (X7R)
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • IR 25ยฐC/Un โ‰ฅ10โตMฮฉ oder 1000ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrika: NP0, N2T, BX, 2C1, X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Cissoid

Cissoid CMT-PLA3SB12340A

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25ยฐC/90ยฐC
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mฮฉ
  • Junctionstemperatur: -40ยฐC bis +175ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7R Kondensatoren

  • Hohe Kapazitรคt SMD Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 47ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC **
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X6S Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • Temperaturkoeffizient von ยฑ22% bei 0V DC angelegt
  • Spannungen von 2,5V bis 50V
  • Isolationswiderstand 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad je nachdem, was niedriger ist *
  • Dielektrikum X6S
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +105ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7T Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • Temperaturkoeffizient des Widerstands von +22% -33% bei 0 V Gleichspannung angelegt
  • Spannungsbereich von 2,5 V bis 100 V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7T
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X5R Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 50V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrikum X5R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +85ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X7S Kondensatoren

  • SMD-Kondensatoren mit hoher Kapazitรคt
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • TCR von ยฑ22 % bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist*
  • Dielektrikum X7S
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse I

  • Hochspannungs-SMD-Kondensator der Klasse I
  • Kapazitรคt von 0,1pF bis 1ยตF
  • TCR von ยฑ 30ppm bei 0Vdc angelegt
  • Spannungen von 1KV bis 15KV
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse II

  • Hochspannungs-Klasse-II-SMD-Kondensator
  • Kapazitรคt von 6,8pF bis 10ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Klasse-II-Kondensator mit niedriger Induktivitรคt

  • Niedrige Induktanz-Klasse-II-Kondensator
  • Kapazitรคt von 1,0 nF bis 1,5 ยตF
  • Spannungen von 6,3 V bis 50 V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Invertierte Geometrie reduziert die ESL um bis zu 60% im Vergleich zu Standard-MLCC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Gestapelt Hochspannungskondensator 1kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfestigkeit (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in den Dielektrika NP0, N2T und X7R
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125 ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Gestapelte Kondensator Hochspannung 3kV

  • Hohe Spannung gestapelter Kondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in Dielektrika NP0, N2T und X7R
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100% geprรผft bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Gestapeltes Hochspannungskondensator 5kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfestigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedrige ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • Zu 100% getestet unter erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC

Merit Sensor TRVF Serie

  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.

RARA SMW Serie

  • Hochleistungs-Drahtwiderstรคnde zur Oberflรคchenmontage
  • Verfรผgbare Leistungsstufen: 2W, 3W und 5W
  • GroรŸer Widerstandsbereich: 0,1ฮฉ bis 500ฮฉ
  • Prรคzise Toleranzen: ยฑ1 % & ยฑ5 %
  • Temperaturkoeffizient: 200 ppm/ยฐC
  • Flammhemmendes UL94V0-gehรคuse fรผr hohe Sicherheit

SRT Microcรฉramique Radialkondensator mit hoher Spannung in Tauchausfรผhrung

  • Radiale Hochspannungskondensatoren
  • Kapazitรคt von 0,4pF bis 47ยตF
  • TCR-Optionen von ยฑ30ppm/ยฐC (NP0) bis ยฑ15% (X7R)
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • IR 25ยฐC/Un โ‰ฅ10โตMฮฉ oder 1000ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrika: NP0, N2T, BX, 2C1, X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

Cissoid CMT-PLA3SB12340A

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25ยฐC/90ยฐC
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mฮฉ
  • Junctionstemperatur: -40ยฐC bis +175ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7R Kondensatoren

  • Hohe Kapazitรคt SMD Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 47ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC **

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X6S Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • Temperaturkoeffizient von ยฑ22% bei 0V DC angelegt
  • Spannungen von 2,5V bis 50V
  • Isolationswiderstand 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad je nachdem, was niedriger ist *
  • Dielektrikum X6S
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +105ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7T Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • Temperaturkoeffizient des Widerstands von +22% -33% bei 0 V Gleichspannung angelegt
  • Spannungsbereich von 2,5 V bis 100 V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7T
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X5R Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 50V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrikum X5R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +85ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X7S Kondensatoren

  • SMD-Kondensatoren mit hoher Kapazitรคt
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • TCR von ยฑ22 % bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist*
  • Dielektrikum X7S
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse I

  • Hochspannungs-SMD-Kondensator der Klasse I
  • Kapazitรคt von 0,1pF bis 1ยตF
  • TCR von ยฑ 30ppm bei 0Vdc angelegt
  • Spannungen von 1KV bis 15KV
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse II

  • Hochspannungs-Klasse-II-SMD-Kondensator
  • Kapazitรคt von 6,8pF bis 10ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Klasse-II-Kondensator mit niedriger Induktivitรคt

  • Niedrige Induktanz-Klasse-II-Kondensator
  • Kapazitรคt von 1,0 nF bis 1,5 ยตF
  • Spannungen von 6,3 V bis 50 V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Invertierte Geometrie reduziert die ESL um bis zu 60% im Vergleich zu Standard-MLCC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique Gestapelt Hochspannungskondensator 1kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfestigkeit (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in den Dielektrika NP0, N2T und X7R
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125 ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique Gestapelte Kondensator Hochspannung 3kV

  • Hohe Spannung gestapelter Kondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in Dielektrika NP0, N2T und X7R
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100% geprรผft bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique Gestapeltes Hochspannungskondensator 5kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfestigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedrige ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • Zu 100% getestet unter erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

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