Gesundheitswesen & Medizin

  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X5R Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 50V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrikum X5R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +85ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X7S Kondensatoren

  • SMD-Kondensatoren mit hoher Kapazitรคt
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • TCR von ยฑ22 % bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist*
  • Dielektrikum X7S
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Radialkondensator mit hoher Spannung in Tauchausfรผhrung

  • Radiale Hochspannungskondensatoren
  • Kapazitรคt von 0,4pF bis 47ยตF
  • TCR-Optionen von ยฑ30ppm/ยฐC (NP0) bis ยฑ15% (X7R)
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • IR 25ยฐC/Un โ‰ฅ10โตMฮฉ oder 1000ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrika: NP0, N2T, BX, 2C1, X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse I

  • Hochspannungs-SMD-Kondensator der Klasse I
  • Kapazitรคt von 0,1pF bis 1ยตF
  • TCR von ยฑ 30ppm bei 0Vdc angelegt
  • Spannungen von 1KV bis 15KV
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse II

  • Hochspannungs-Klasse-II-SMD-Kondensator
  • Kapazitรคt von 6,8pF bis 10ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Klasse-II-Kondensator mit niedriger Induktivitรคt

  • Niedrige Induktanz-Klasse-II-Kondensator
  • Kapazitรคt von 1,0 nF bis 1,5 ยตF
  • Spannungen von 6,3 V bis 50 V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Invertierte Geometrie reduziert die ESL um bis zu 60% im Vergleich zu Standard-MLCC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Low Voltage Klasse II Kondensatoren

  • Niederspannungs-SMD-Kondensator der Klasse II
  • Kapazitรคt von 2,2 pF bis 47 ยตF
  • TCR von ยฑ 15% bei 0V Gleichspannung (X7R) / +15% -25% bei Nennspannung (BX)
  • Spannungen von 10V bis 1000V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Niederspannungs-Kondensatoren der Klasse I

  • Niederspannungs-SMD-Kondensator der Klasse I
  • Kapazitรคt von 0,1 pF bis 820 nF
  • TCR von ยฑ 30ppm bei angelegten 0Vdc
  • Spannungen von 10V bis 1000V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Niederspannungs-N2T-Kondensatoren

  • Niederspannungs-N2T-SMD-Kondensator
  • Kapazitรคt von 0,3 pF bis 1,2 ยตF
  • TCR von -2200 ยฑ 350 ppm/ยฐC bei angelegten 0Vdc
  • Spannungen von 10V bis 1000V
  • Betriebstemperaturen von -55 ยฐC bis +125 ยฐC
  • Alle PME SMD verfรผgbar mit nicht magnetischer Termination
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 10kV

  • Hochspannungs-Stapelschicht-Kondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100% getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 2kV

  • Stapelnkondensator mit hoher Spannung
  • Hohe Spannungskapazitรคt (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R-Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 8kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125 ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique-SMD-Impulsenergiekondensatoren

  • Hochspannungsimpulskondensator
  • Kapazitรคtsbereich: 12nF bis 1.2ยตF
  • Spannungsbewertungen: 1000V bis 3000V
  • Nicht piezo-Impulskeramik, stabil, konstant hoch
  • Temperatur bis zu 200ยฐC
  • Erhรคltlich als Stapel mit J L M Anschlรผssen
  • InterFET

U308

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.
  • InterFET

U309

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.
  • VPG Foil Resistors

VPG FRCS2512

  • Hochprรคziser Strommesswiderstand im Surface-Mount-Gehรคuse
  • GehรคusegrรถรŸe 2512
  • TCR auf maximal ยฑ5 ppm/ยฐC (โ€“55ยฐC bis +125ยฐC, +25ยฐC Bezug)
  • Nennleistung bei 70ยฐC: 1 W
  • Widerstandstoleranz: auf ยฑ0,1%
  • Widerstandsbereich: 100 mโ„ฆ bis 1 โ„ฆ

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X5R Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 50V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrikum X5R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +85ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X7S Kondensatoren

  • SMD-Kondensatoren mit hoher Kapazitรคt
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • TCR von ยฑ22 % bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist*
  • Dielektrikum X7S
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

SRT Microcรฉramique Radialkondensator mit hoher Spannung in Tauchausfรผhrung

  • Radiale Hochspannungskondensatoren
  • Kapazitรคt von 0,4pF bis 47ยตF
  • TCR-Optionen von ยฑ30ppm/ยฐC (NP0) bis ยฑ15% (X7R)
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • IR 25ยฐC/Un โ‰ฅ10โตMฮฉ oder 1000ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrika: NP0, N2T, BX, 2C1, X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse I

  • Hochspannungs-SMD-Kondensator der Klasse I
  • Kapazitรคt von 0,1pF bis 1ยตF
  • TCR von ยฑ 30ppm bei 0Vdc angelegt
  • Spannungen von 1KV bis 15KV
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Hochspannungs-Kondensatoren der Klasse II

  • Hochspannungs-Klasse-II-SMD-Kondensator
  • Kapazitรคt von 6,8pF bis 10ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 1kV bis 15kV
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Klasse-II-Kondensator mit niedriger Induktivitรคt

  • Niedrige Induktanz-Klasse-II-Kondensator
  • Kapazitรคt von 1,0 nF bis 1,5 ยตF
  • Spannungen von 6,3 V bis 50 V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Invertierte Geometrie reduziert die ESL um bis zu 60% im Vergleich zu Standard-MLCC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Low Voltage Klasse II Kondensatoren

  • Niederspannungs-SMD-Kondensator der Klasse II
  • Kapazitรคt von 2,2 pF bis 47 ยตF
  • TCR von ยฑ 15% bei 0V Gleichspannung (X7R) / +15% -25% bei Nennspannung (BX)
  • Spannungen von 10V bis 1000V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Niederspannungs-Kondensatoren der Klasse I

  • Niederspannungs-SMD-Kondensator der Klasse I
  • Kapazitรคt von 0,1 pF bis 820 nF
  • TCR von ยฑ 30ppm bei angelegten 0Vdc
  • Spannungen von 10V bis 1000V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

SRT Microcรฉramique SMD Niederspannungs-N2T-Kondensatoren

  • Niederspannungs-N2T-SMD-Kondensator
  • Kapazitรคt von 0,3 pF bis 1,2 ยตF
  • TCR von -2200 ยฑ 350 ppm/ยฐC bei angelegten 0Vdc
  • Spannungen von 10V bis 1000V
  • Betriebstemperaturen von -55 ยฐC bis +125 ยฐC
  • Alle PME SMD verfรผgbar mit nicht magnetischer Termination

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 10kV

  • Hochspannungs-Stapelschicht-Kondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100% getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 2kV

  • Stapelnkondensator mit hoher Spannung
  • Hohe Spannungskapazitรคt (1 kV bis 10 kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R-Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique Stapelkondensator Hochspannung 8kV

  • Hochspannungs-Schichtkondensator
  • Hohe Spannungsfรคhigkeit (1kV bis 10kV)
  • Gestapelte MLCC-Konstruktion fรผr hohe Kapazitรคt
  • Erhรคltlich in NP0, N2T und X7R Dielektrika
  • Niedriger ESR/ESL fรผr hohe Frequenzeffizienz
  • 100 % getestet bei erhรถhten Temperaturen (125 ยฐC) und Spannungen fรผr 48 Stunden

SRT Microcรฉramique-SMD-Impulsenergiekondensatoren

  • Hochspannungsimpulskondensator
  • Kapazitรคtsbereich: 12nF bis 1.2ยตF
  • Spannungsbewertungen: 1000V bis 3000V
  • Nicht piezo-Impulskeramik, stabil, konstant hoch
  • Temperatur bis zu 200ยฐC
  • Erhรคltlich als Stapel mit J L M Anschlรผssen

U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

VPG FRCS2512

  • Hochprรคziser Strommesswiderstand im Surface-Mount-Gehรคuse
  • GehรคusegrรถรŸe 2512
  • TCR auf maximal ยฑ5 ppm/ยฐC (โ€“55ยฐC bis +125ยฐC, +25ยฐC Bezug)
  • Nennleistung bei 70ยฐC: 1 W
  • Widerstandstoleranz: auf ยฑ0,1%
  • Widerstandsbereich: 100 mโ„ฆ bis 1 โ„ฆ

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