Gesundheitswesen & Medizin

  • InterFET

IFN147

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

IFN152

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

IFN5434

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.
  • InterFET

IFN5911

InterFET Product Image (TO-78)
InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehรคuse.
  • InterFET

IFN5912

InterFET Product Image (TO-78)
InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehรคuse.
  • ISOCOM

ISOCOM CH101

  • Einkanaliger, strahlengeschรผtzter Optokoppler fรผr Weltraumanwendungen
  • Oberflรคchenmontage 4-Pin-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
  • Ionisierende Dosis geprรผft bis 150 Krad(Si)
  • ISOCOM

ISOCOM CS201

  • Einkanaliger Optokoppler fรผr Weltraumanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 6-Pin-DIP-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Hรคlt einer Isolierung von 1.500 V DC stand
  • Ionisierende Dosis getestet bis 150 Krad(Si) und
  • Geprรผfte Verlagerungsschรคden bis 1 MEV x 10ยนยณ
  • ISOCOM

ISOCOM CS600

  • Einkanaliger Hochgeschwindigkeits-Optokoppler fรผr Raumfahrt- und Isolationsanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 8-Pin-DIP-Gehรคuse
  • Hohe Gleichtaktunterdrรผckung (1.000V/ฮผs)
  • Hรคlt einer Isolierung von 1.500 V DC und 2.500 V DC stand
  • Strahlung getestet bis 1 Mrad(Si) und 1 MEV x 10ยนยณ
  • ISOCOM

ISOCOM CSM100

  • Einkanaliger Optokoppler mit hoher Verstรคrkung fรผr Weltraumanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 4-Pin-Gehรคuse fรผr Oberflรคchenmontage
  • Stromรผbertragungsrate bis zu 1.500%
  • Geringer Eingangsstrombedarf von 0,5 mA
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
  • ISOCOM

ISOCOM CSM1200

  • Einkanaliger Optokoppler fรผr Weltraumanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes LCC-6-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Geringe Eingangsanforderungen
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
  • ISOCOM

ISOCOM CSM1224

  • Einkanaliger Optokoppler fรผr hochzuverlรคssige Anwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 6-Pin-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
  • Strahlungsgeprรผft bis 150 Krad(Si)
  • ISOCOM

ISOCOM CSM160

  • Zweikanal- oder Vierkanal-Optokoppler mit hoher Verstรคrkung
  • Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehรคuse
  • Aktuelle Transferquote in der Regel 1.000%
  • Geringer Eingangsbedarf von 0,5 mA
  • Hรคlt 1.500 V DC stand
  • Strahlungstolerant
  • ISOCOM

ISOCOM CSM166

  • Zweikanaliger oder vierkanaliger, hochzuverlรคssiger Optokoppler fรผr Platz
  • Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Strahlungstoleranz von 150 Krad(Si)
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.500 V DC stand
  • ISOCOM

ISOCOM IS49

  • Einkanaliger, hermetisch abgedichteter Optokoppler
  • LCC-6-Gehรคuseentwurf
  • Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 50mA
  • Isolationsspannung zwischen Eingรคngen und Ausgรคngen: 1.000 V DC
  • Geeignet fรผr die Isolierung von digitalen oder analogen Hochgeschwindigkeitssignalen
  • InterFET

J108

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J112

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehรคuse.

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehรคuse.

ISOCOM CH101

  • Einkanaliger, strahlengeschรผtzter Optokoppler fรผr Weltraumanwendungen
  • Oberflรคchenmontage 4-Pin-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
  • Ionisierende Dosis geprรผft bis 150 Krad(Si)

ISOCOM CS201

  • Einkanaliger Optokoppler fรผr Weltraumanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 6-Pin-DIP-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Hรคlt einer Isolierung von 1.500 V DC stand
  • Ionisierende Dosis getestet bis 150 Krad(Si) und
  • Geprรผfte Verlagerungsschรคden bis 1 MEV x 10ยนยณ

ISOCOM CS600

  • Einkanaliger Hochgeschwindigkeits-Optokoppler fรผr Raumfahrt- und Isolationsanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 8-Pin-DIP-Gehรคuse
  • Hohe Gleichtaktunterdrรผckung (1.000V/ฮผs)
  • Hรคlt einer Isolierung von 1.500 V DC und 2.500 V DC stand
  • Strahlung getestet bis 1 Mrad(Si) und 1 MEV x 10ยนยณ

ISOCOM CSM100

  • Einkanaliger Optokoppler mit hoher Verstรคrkung fรผr Weltraumanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 4-Pin-Gehรคuse fรผr Oberflรคchenmontage
  • Stromรผbertragungsrate bis zu 1.500%
  • Geringer Eingangsstrombedarf von 0,5 mA
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand

ISOCOM CSM1200

  • Einkanaliger Optokoppler fรผr Weltraumanwendungen
  • Hermetisch versiegeltes LCC-6-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Geringe Eingangsanforderungen
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand

ISOCOM CSM1224

  • Einkanaliger Optokoppler fรผr hochzuverlรคssige Anwendungen
  • Hermetisch versiegeltes 6-Pin-Gehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
  • Strahlungsgeprรผft bis 150 Krad(Si)

ISOCOM CSM160

  • Zweikanal- oder Vierkanal-Optokoppler mit hoher Verstรคrkung
  • Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehรคuse
  • Aktuelle Transferquote in der Regel 1.000%
  • Geringer Eingangsbedarf von 0,5 mA
  • Hรคlt 1.500 V DC stand
  • Strahlungstolerant

ISOCOM CSM166

  • Zweikanaliger oder vierkanaliger, hochzuverlรคssiger Optokoppler fรผr Platz
  • Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehรคuse
  • Hohes Stromรผbertragungsverhรคltnis
  • Strahlungstoleranz von 150 Krad(Si)
  • Hรคlt einer Isolierung von bis zu 1.500 V DC stand

ISOCOM IS49

  • Einkanaliger, hermetisch abgedichteter Optokoppler
  • LCC-6-Gehรคuseentwurf
  • Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 50mA
  • Isolationsspannung zwischen Eingรคngen und Ausgรคngen: 1.000 V DC
  • Geeignet fรผr die Isolierung von digitalen oder analogen Hochgeschwindigkeitssignalen

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

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