Gesundheitswesen & Medizin

IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

ISOCOM CH101

Einkanaliger, strahlengeschützter Optokoppler für Weltraumanwendungen
Oberflächenmontage 4-Pin-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
Ionisierende Dosis geprüft bis 150 Krad(Si)

Datenblatt

ISOCOM CS201

Einkanaliger Optokoppler für Weltraumanwendungen
Hermetisch versiegeltes 6-Pin-DIP-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hält einer Isolierung von 1.500 V DC stand
Ionisierende Dosis getestet bis 150 Krad(Si) und
Geprüfte Verlagerungsschäden bis 1 MEV x 10¹³

Datenblatt

ISOCOM CS600

Einkanaliger Hochgeschwindigkeits-Optokoppler für Raumfahrt- und Isolationsanwendungen
Hermetisch versiegeltes 8-Pin-DIP-Gehäuse
Hohe Gleichtaktunterdrückung (1.000V/μs)
Hält einer Isolierung von 1.500 V DC und 2.500 V DC stand
Strahlung getestet bis 1 Mrad(Si) und 1 MEV x 10¹³

Datenblatt

ISOCOM CSM100

Einkanaliger Optokoppler mit hoher Verstärkung für Weltraumanwendungen
Hermetisch versiegeltes 4-Pin-Gehäuse für Oberflächenmontage
Stromübertragungsrate bis zu 1.500%
Geringer Eingangsstrombedarf von 0,5 mA
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand

Datenblatt

ISOCOM CSM1200

Einkanaliger Optokoppler für Weltraumanwendungen
Hermetisch versiegeltes LCC-6-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Geringe Eingangsanforderungen
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand

Datenblatt

ISOCOM CSM1224

Einkanaliger Optokoppler für hochzuverlässige Anwendungen
Hermetisch versiegeltes 6-Pin-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
Strahlungsgeprüft bis 150 Krad(Si)

Datenblatt

ISOCOM CSM160

Zweikanal- oder Vierkanal-Optokoppler mit hoher Verstärkung
Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehäuse
Aktuelle Transferquote in der Regel 1.000%
Geringer Eingangsbedarf von 0,5 mA
Hält 1.500 V DC stand
Strahlungstolerant

Datenblatt

ISOCOM CSM166

Zweikanaliger oder vierkanaliger, hochzuverlässiger Optokoppler für Platz
Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Strahlungstoleranz von 150 Krad(Si)
Hält einer Isolierung von bis zu 1.500 V DC stand

Datenblatt

ISOCOM IS49

Einkanaliger, hermetisch abgedichteter Optokoppler
LCC-6-Gehäuseentwurf
Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 50mA
Isolationsspannung zwischen Eingängen und Ausgängen: 1.000 V DC
Geeignet für die Isolierung von digitalen oder analogen Hochgeschwindigkeitssignalen

Datenblatt

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

ISOCOM CH101

Einkanaliger, strahlengeschützter Optokoppler für Weltraumanwendungen
Oberflächenmontage 4-Pin-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
Ionisierende Dosis geprüft bis 150 Krad(Si)

ISOCOM CS201

Einkanaliger Optokoppler für Weltraumanwendungen
Hermetisch versiegeltes 6-Pin-DIP-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hält einer Isolierung von 1.500 V DC stand
Ionisierende Dosis getestet bis 150 Krad(Si) und
Geprüfte Verlagerungsschäden bis 1 MEV x 10¹³

ISOCOM CS600

Einkanaliger Hochgeschwindigkeits-Optokoppler für Raumfahrt- und Isolationsanwendungen
Hermetisch versiegeltes 8-Pin-DIP-Gehäuse
Hohe Gleichtaktunterdrückung (1.000V/μs)
Hält einer Isolierung von 1.500 V DC und 2.500 V DC stand
Strahlung getestet bis 1 Mrad(Si) und 1 MEV x 10¹³

ISOCOM CSM100

Einkanaliger Optokoppler mit hoher Verstärkung für Weltraumanwendungen
Hermetisch versiegeltes 4-Pin-Gehäuse für Oberflächenmontage
Stromübertragungsrate bis zu 1.500%
Geringer Eingangsstrombedarf von 0,5 mA
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand

ISOCOM CSM1200

Einkanaliger Optokoppler für Weltraumanwendungen
Hermetisch versiegeltes LCC-6-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Geringe Eingangsanforderungen
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand

ISOCOM CSM1224

Einkanaliger Optokoppler für hochzuverlässige Anwendungen
Hermetisch versiegeltes 6-Pin-Gehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hält einer Isolierung von bis zu 1.000 V DC stand
Strahlungsgeprüft bis 150 Krad(Si)

ISOCOM CSM160

Zweikanal- oder Vierkanal-Optokoppler mit hoher Verstärkung
Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehäuse
Aktuelle Transferquote in der Regel 1.000%
Geringer Eingangsbedarf von 0,5 mA
Hält 1.500 V DC stand
Strahlungstolerant

ISOCOM CSM166

Zweikanaliger oder vierkanaliger, hochzuverlässiger Optokoppler für Platz
Hermetisch versiegeltes 16-Pin-Flachgehäuse
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Strahlungstoleranz von 150 Krad(Si)
Hält einer Isolierung von bis zu 1.500 V DC stand

ISOCOM IS49

Einkanaliger, hermetisch abgedichteter Optokoppler
LCC-6-Gehäuseentwurf
Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom: 50mA
Isolationsspannung zwischen Eingängen und Ausgängen: 1.000 V DC
Geeignet für die Isolierung von digitalen oder analogen Hochgeschwindigkeitssignalen

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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