Erneuerbare Energien

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

Datenblatt

MCH 0402 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 1 GΩ
Toleranzen von ±1% bis ±20%
TCR von ±50 ppm/°C, ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennleistung von 0,04 W
Nennspannung von 150 V
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 0603 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,5% bis ±20%
TCR von ±50 ppm/°C, ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennleistung von 0,06 W
Nennspannung von 4000 V
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 0805 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,5% bis ±20%
TCR von ±50 ppm/°C, ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennleistung von 0,2 W
Nennspannung von 600 V
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 1206 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
Nennleistung von 0,33 W
Nennspannung von 1,5 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 2010 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
Nennleistung von 1 W
Nennspannung von 2 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 2512 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
Nennleistung von 2 W
Nennspannung von 3 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 3512 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
Nennleistung von 2 W
Nennspannung von 3,5 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 4020 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
Nennleistung von 2 W
Nennspannung von 4 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

MCH 5020 von Exxelia Ohmcraft

Militärische Hochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 10 kΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±0,1% bis ±20%
TCR von ±25 ppm/°C bis ±200 ppm/°C
Nennleistung von 2 W
Nennspannung von 5 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

Metis Engineering Cell Guard

Cell Guard ist ein CAN-basiertes Umweltsensorgerät, das folgende Messungen durchführen kann:

Absolutdruck: 0,3 bis 1,2 Bar
Lufttemperatur: -40°C bis +125°C
Flüchtige organische Verbindungen (VOCs): 0 bis 6553,5 ppm
Absolute Luftfeuchtigkeit: 0 bis 35000 mg/m³
Relative Luftfeuchtigkeit: 0 bis 100%

Für schnelle Desktop-Analysen können Sie das Nano-Entwicklungskit verwenden.

Datenblatt

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.