Erneuerbare Energien

IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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IFN146

InterFET IFN146 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0450H Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-71-Gehäuse.

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IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

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IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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Isabellenhütte IVT 3 Base

Strommesssensor (ASIL C)
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Temperaturmessung
Kommunikation basierend auf CAN 2.0B mit DBC
Gesamtgenauigkeit von ±0,4 % des Messwerts +0,1 A
Versorgungsspannung 12 V/24 V**
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Isabellenhütte IVT 3 Pro

Strommesssensor (ASIL C)
3-V- oder 6-V-Messkanäle (ASIL B)
Aktive Isolationsüberwachung (QM)
Temperaturmessung
Strommessung bis zu 4.000 A (Ext)
Spannungsmessung bis zu 1.250 V (Ext)
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

J108

InterFET J108 N-Kanal-JFET mit N0450S-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 85pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J112

InterFET J112 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 28pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J174

InterFET J174 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J175

InterFET J175 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J177

InterFET J177 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 32pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J201

InterFET J201 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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J202

InterFET J202 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

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IF9030T52

InterFET IF9030T52 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

IFN146

InterFET IFN146 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0450H Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-71-Gehäuse.

IFN147

InterFET IFN147 N-Kanal-JFET mit N0450H-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 75pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

IFN152

InterFET IFN152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem TO-18-Gehäuse.

IFN5434

InterFET IFN5434 N-Kanal-JFET mit N0903L-Geometrie. Typische Leckage von -8pA und eine niedrige Eingangskapazität von 60pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

IFN5911

InterFET IFN5911 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

IFN5912

InterFET IFN5912 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0030L Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.