Erneuerbare Energien

CS51 von Core Sensors

Nicht zündfähiger Niederdruck-Druckmessumformer
Druckbereiche: von 1 PSI bis zu 49 PSI
Temperaturbereich: -20 °C bis +80 °C*
Genauigkeit: bis zu ≤ ±0,25 % BFSL bei 25 °C**
Stabilität (1 Jahr): ≤ ±0,25 % FS
Druckzyklen: 100 Millionen
Überdruck: 2x Minimum

CS54 von Core Sensors

Nicht zündfähiger Differenzdruck-Messumformer
Differenzdruck: bis zu 50 PSI
Leitungsdruck: bis zu 500 PSI
Genauigkeit: ≤ ±0,25 % BFSL (≤ ±0,5 % BFSL max. 2 PSI)
Überdruck: 2x oder 500 PSI (der niedrigere Wert ist maßgeblich)
Temperaturbereich: -40 °C bis +80 °C
Temperaturbereich des Mediums: -40 °C bis +125 °C

DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

IF1320ST3

InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF1322AS08

InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

Datenblatt

IF1322S08

InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

Datenblatt

IF140AST3

InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF140AT72

InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

IF140ST3

InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170AST3

InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170BST3

InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170CST3

InterFET IF170CST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF170DST3

InterFET IF170DST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt

IF3601T39

InterFET IF3601T39 N-Kanal-JFET mit N3600L-Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-39-Gehäuse.

Datenblatt

IF3602T78

InterFET IF3602T78 N-Kanal Dual Matched JFET mit N3600L Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

Datenblatt

IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Datenblatt