Erneuerbare Energien

U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

Datenblatt

U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

Datenblatt

UHVC 2010 von Exxelia Ohmcraft

Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 90 MΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±1% bis ±20%
TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennspannung von 3 kV bis 6 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

UHVC 2512 von Exxelia Ohmcraft

Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 120 MΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±1% bis ±20%
TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennspannung von 4 kV bis 10 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

UHVC 3512 von Exxelia Ohmcraft

Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 85 MΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±1 % bis ±20 %
TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennspannung von 4 kV bis 14 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

Datenblatt

UHVC 4020 von Exxelia Ohmcraft

Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 150 MΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±1% bis ±20%
TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennspannung von 6 kV bis 16 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

UHVC 5020 von Exxelia Ohmcraft

Ultrahochspannungs-SMD-Widerstände
Widerstandsbereich von 90 MΩ bis 50 GΩ
Toleranzen von ±1% bis ±20%
TCR von ±100 ppm/°C oder ±200 ppm/°C
Nennspannung von 6 kV bis 20 kV
Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.

U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehäuse.