Erneuerbare Energien

  • RARA

RARA ULV300

RARA Aluminum Housed, Chassis Mount Resistor Model: IRH, IRV, ULH, ULV, ARH, ARV
  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
  • Konform
  • RARA

RARA ULV400

RARA Aluminum Housed, Chassis Mount Resistor Model: IRH, IRV, ULH, ULV, ARH, ARV
  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
  • Konform
  • RARA

RARA ULV500

RARA Aluminum Housed, Chassis Mount Resistor Model: IRH, IRV, ULH, ULV, ARH, ARV
  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
  • Konform
  • RARA

RARA ULV60

RARA Aluminum Housed, Chassis Mount Resistor Model: IRH, IRV, ULH, ULV, ARH, ARV
  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 5 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
  • Konform
  • RARA

RARA ULV600

  • Metallummantelter, drahtgewickelter Widerstand
  • Nennleistung 600W (Kühlkörper) / 330W (in Luft)
  • UL-geprüft
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Wahlweise fliegende Leitungen, Parallel- oder Reihenschaltung
  • Konform
  • RARA

RARA ULV80

RARA Aluminum Housed, Chassis Mount Resistor Model: IRH, IRV, ULH, ULV, ARH, ARV
  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden
  • Konform
  • RARA

RARA ULV800

  • Metallummantelter, drahtgewickelter Widerstand
  • Wahlweise fliegende Leitungen, Parallel- oder Reihenschaltung
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • UL-geprüft
  • Zementierte Ausführung mit stranggepresstem Aluminiumgehäuse
  • Kurzzeitige Überlastung von 10 x Nennleistung in 5 Sekunden
  • Konform
  • InterFET

SMP152

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP3971

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4092

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4117

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4117A

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4118

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4118 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4118A

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4118A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4220

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4220 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 6pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform
  • InterFET

SMP4220A

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMP4220A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 6pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.
  • Konform

RARA ULV300

  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden

RARA ULV400

  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden

RARA ULV500

  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden

RARA ULV60

  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 5 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden

RARA ULV600

  • Metallummantelter, drahtgewickelter Widerstand
  • Nennleistung 600W (Kühlkörper) / 330W (in Luft)
  • UL-geprüft
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Wahlweise fliegende Leitungen, Parallel- oder Reihenschaltung

RARA ULV80

  • Metallummantelter drahtgewickelter Widerstand
  • Option für fliegende Anschlüsse (Standard sind Flachstecker)
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • Stranggepresstes vertikales Aluminiumgehäuse
  • UL-geprüft
  • Kurzzeitige Überlast von 10 x Nennleistung beträgt 5 Sekunden

RARA ULV800

  • Metallummantelter, drahtgewickelter Widerstand
  • Wahlweise fliegende Leitungen, Parallel- oder Reihenschaltung
  • Induktive oder nicht-induktive Ausführung
  • Isolationswiderstand von mindestens 20MΩ
  • Temperaturbereich von -55°C bis zu +200°C
  • UL-geprüft
  • Zementierte Ausführung mit stranggepresstem Aluminiumgehäuse
  • Kurzzeitige Überlastung von 10 x Nennleistung in 5 Sekunden

SMP152

InterFET SMP152 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP3971

InterFET SMP3971 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 25pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4092

InterFET SMP4092 N-Kanal-JFET mit N0132S-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 16pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4117

InterFET SMP4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4117A

InterFET SMP4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4118

InterFET SMP4118 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4118A

InterFET SMP4118A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4220

InterFET SMP4220 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 6pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

SMP4220A

InterFET SMP4220A N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 6pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

Resources

Verwandte Artikel

Erneuerbare Energien