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J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J271

InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J304

InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

Datenblatt

KRL11050T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 4320
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 5 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

Datenblatt

KRL3216T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 1206
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 1 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

Datenblatt

KRL6432T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2512
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 2 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

Datenblatt

KRL7638T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 3015
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 3 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

Datenblatt

KRL9045T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 3518
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 4 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

Datenblatt

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

Datenblatt

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

Datenblatt

J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazität von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J271

InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J304

InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazität von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehäuse.

KRL11050T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 4320
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 5 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL3216T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 1206
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 1 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL6432T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 2512
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 2 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL7638T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 3015
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 3 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

KRL9045T4 von Susumu

Chip-Widerstand für die Strommessung für die Oberflächenmontage
Ausführung mit 4 Anschlussklemmen in Chip-Größe 3518
Widerstandswerte von 0,001 Ω bis zu 0,5 Ω
Temperaturbereichsoptionen von -55 °C bis +155 °C/+175 °C
Getrennte Spannungsklemme für präzise Spannungsmessung
Nennleistung von 4 W
Als AEC-Q200-konform zertifiziert

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazität von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehäuse.

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehäuse.

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