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DPAD1

InterFET DPAD1 N-Kanal-Doppel-PicoAmp-Diode mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-72-Gehäuse.

Datenblatt

GG102 Squaristor-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit radialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 10 Ω bis zu 200 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,3 W (Ausführung GG102D)
Temperaturbereich von -55 °C bis +160 °C

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GR102 Squaristor-Serie von General Resistance

Präzisionsdrahtwiderstand mit radialen Anschlüssen
Widerstandsbereich von 10 Ω bis zu 200 kΩ
Enge Toleranzen von ±0,01 % und ±0,1 %
TK von ±5 ppm/°C
Nennleistung von bis zu 0,3 W (Ausführung GR102D)
Temperaturbereich von -55 °C bis zu +160 °C

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IF1320ST3

InterFET IF1320ST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF1322AS08

InterFET IF1322AS08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

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IF1322S08

InterFET IF1322S08 N-Kanal Dual Matched JFET mit N0132L Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 15pF (max). All dies in einem SOIC-8-Gehäuse.

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IF140AST3

InterFET IF140AST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF140AT72

InterFET IF140AT72 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem TO-72-Gehäuse.

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IF140ST3

InterFET IF140ST3 N-Kanal-JFET mit N0014L-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazität von 3pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170AST3

InterFET IF170AST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170BST3

InterFET IF170BST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170CST3

InterFET IF170CST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF170DST3

InterFET IF170DST3 N-Kanal-JFET mit N0132L-Geometrie. Typische Leckage von -4pA und eine niedrige Eingangskapazität von 20pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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IF3601T39

InterFET IF3601T39 N-Kanal-JFET mit N3600L-Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-39-Gehäuse.

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IF3602T78

InterFET IF3602T78 N-Kanal Dual Matched JFET mit N3600L Geometrie. Typische Leckage von -18pA und eine niedrige Eingangskapazität von 300pF (max). All dies in einem TO-78-Gehäuse.

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IF4500ST3

InterFET IF4500ST3 N-Kanal-JFET mit N0450L-Geometrie. Typische Leckage von -6pA und eine niedrige Eingangskapazität von 35pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehäuse.

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