Antriebstechnik

  • InterFET

J231

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J232

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazitรคt von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J270

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J271

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J304

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J305

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J309

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J310

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

J507

InterFET Product Image (TO-92-2L)
InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehรคuse.
  • InterFET

P1086

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

PAD1

InterFET Product Image (TO-18)
InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehรคuse.
  • InterFET

PN4117

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • InterFET

PN4117A

InterFET Product Image (TO-92)
InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.
  • RARA

RARA FRH 25C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 15W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC
  • RARA

RARA FRH 50C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 25W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC
  • RARA

RARA IRB120

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 1,3kฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 300ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 120W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

J231

InterFET J231 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J232

InterFET J232 N-Kanal-JFET mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA und eine geringe Eingangskapazitรคt von 4pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J270

InterFET J270 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J271

InterFET J271 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 30pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J304

InterFET J304 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J305

InterFET J305 N-Kanal-JFET mit N0026S-Geometrie. Typische Leckage von -2pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J309

InterFET J309 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J310

InterFET J310 N-Kanal-JFET mit N0072S-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

J507

InterFET J507 N-Kanal-Stromregelungsdiode mit N0016H-Geometrie. Typische Leckage von -1,5pA. All dies in einem TO-92-2L-Gehรคuse.

P1086

InterFET P1086 P-Kanal-JFET mit P0099F-Geometrie. Typische Leckage von 5pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 45pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

PAD1

InterFET PAD1 N-Kanal PicoAmp Diode mit N0001H Geometrie. Typische Leckage von -0,5pA. All dies in einem TO-18-Gehรคuse.

PN4117

InterFET PN4117 N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Typische Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

PN4117A

InterFET PN4117A N-Kanal-JFET mit N0001H-Geometrie. Maximale Leckage von -1pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 3pF (max). All dies in einem TO-92-Gehรคuse.

RARA FRH 25C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 15W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC

RARA FRH 50C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 25W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC

RARA IRB120

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 1,3kฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 300ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 120W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

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