Antriebstechnik

  • InterFET

SMPU309

InterFET Product Image (SOT-23)
InterFET SMPU309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.
  • Isabellenhรผtte

SMS-R000-Serie von Isabellenhรผtte

  • Null-Ohm-Jumper/Strombrรผcke
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-GrรถรŸe 2512
  • Widerstandswert von < 200 ยตฮฉ
  • Nennleistung von 2 W (bei +120 ยฐC)
  • Nennstrom von bis zu 100 A DC
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC
  • Isabellenhรผtte

SMS-Serie von Isabellenhรผtte

  • Prรคzisionswiderstand fรผr die Strommessung
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-GrรถรŸe 2512
  • Widerstandsbereich von 0,005 ฮฉ bis 1 ฮฉ
  • Toleranzen von ยฑ0,5 % bis ยฑ5 %
  • TK von < ยฑ50 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von 5 W (bei +70 ยฐC)
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC
  • Isabellenhรผtte

SMT-Serie von Isabellenhรผtte

  • Prรคzisionswiderstand fรผr die Strommessung
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-GrรถรŸe 2817
  • Widerstandsbereich von 0,004 ฮฉ bis 4,7 ฮฉ
  • Toleranzbereich von ยฑ0,5 % bis ยฑ5 %
  • TK ab < ยฑ50 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von 5 W (bei +105 ยฐC)
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique SMD Klasse-II-Kondensator mit niedriger Induktivitรคt

  • Niedrige Induktanz-Klasse-II-Kondensator
  • Kapazitรคt von 1,0 nF bis 1,5 ยตF
  • Spannungen von 6,3 V bis 50 V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Invertierte Geometrie reduziert die ESL um bis zu 60% im Vergleich zu Standard-MLCC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200
  • InterFET

U308

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.
  • InterFET

U309

InterFET Product Image (TO-52)
InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.
  • Isabellenhรผtte

VMI-R000-U-Serie von Isabellenhรผtte

  • Null-Ohm-Jumper/Strombrรผcke
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage in Chip-GrรถรŸe 0805
  • Widerstandswert von < 200 ยตฮฉ
  • TK von 3200 ppm/ยฐC
  • Dauerstrom von bis zu 35 A DC
  • Nennleistung von 0,25 W (bei +170 ยฐC)
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC

SMPU309

InterFET SMPU309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem SOT-23-Gehรคuse.

SMS-R000-Serie von Isabellenhรผtte

  • Null-Ohm-Jumper/Strombrรผcke
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-GrรถรŸe 2512
  • Widerstandswert von < 200 ยตฮฉ
  • Nennleistung von 2 W (bei +120 ยฐC)
  • Nennstrom von bis zu 100 A DC
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC

SMS-Serie von Isabellenhรผtte

  • Prรคzisionswiderstand fรผr die Strommessung
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-GrรถรŸe 2512
  • Widerstandsbereich von 0,005 ฮฉ bis 1 ฮฉ
  • Toleranzen von ยฑ0,5 % bis ยฑ5 %
  • TK von < ยฑ50 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von 5 W (bei +70 ยฐC)
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC

SMT-Serie von Isabellenhรผtte

  • Prรคzisionswiderstand fรผr die Strommessung
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage mit 2 Anschlussklemmen in Chip-GrรถรŸe 2817
  • Widerstandsbereich von 0,004 ฮฉ bis 4,7 ฮฉ
  • Toleranzbereich von ยฑ0,5 % bis ยฑ5 %
  • TK ab < ยฑ50 ppm/ยฐC
  • Nennleistung von 5 W (bei +105 ยฐC)
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC

SRT Microcรฉramique SMD Klasse-II-Kondensator mit niedriger Induktivitรคt

  • Niedrige Induktanz-Klasse-II-Kondensator
  • Kapazitรคt von 1,0 nF bis 1,5 ยตF
  • Spannungen von 6,3 V bis 50 V
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • Invertierte Geometrie reduziert die ESL um bis zu 60% im Vergleich zu Standard-MLCC
  • Getestet gemรครŸ CECC 32100 und AEC-Q200

U308

InterFET U308 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

U309

InterFET U309 N-Kanal-JFET mit N0072L-Geometrie. Typische Leckage von -3pA und eine niedrige Eingangskapazitรคt von 5pF (max). All dies in einem TO-52-Gehรคuse.

VMI-R000-U-Serie von Isabellenhรผtte

  • Null-Ohm-Jumper/Strombrรผcke
  • Ausfรผhrung fรผr die Oberflรคchenmontage in Chip-GrรถรŸe 0805
  • Widerstandswert von < 200 ยตฮฉ
  • TK von 3200 ppm/ยฐC
  • Dauerstrom von bis zu 35 A DC
  • Nennleistung von 0,25 W (bei +170 ยฐC)
  • Temperaturbereich von -65 ยฐC bis +170 ยฐC

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